IPN70R1K4P7S

IPN70R1K4P7S屬性

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IPN70R1K4P7S描述

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詳細參數


參數名稱

參數值


是否Rohs認證 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8276861203
包裝說明 SOT-223, 3 PIN
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
Date Of Intro 2017-07-31
風險等級 5.82
Samacsys Description N-Channel Power MOSFET, VDS max: 700V, RDS (on) max: 1400mΩ, Qg,typ:4.7nC, ID,pulse:8.2A, Eoss @ 400V:0.6µJ, SMT, Package: PG-SOT223
Samacsys Manufacturer Infineon
其他特性 ESD PROTECTED
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 700 V
最大漏極電流 (ID) 4 A
最大漏源導通電阻 1.4 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼 R-PDSO-G3
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
最低工作溫度 -40 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 6.2 W
表面貼裝 YES
端子面層 Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON

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