IRF640NPBF

IRF640NPBF屬性

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IRF640NPBF描述

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詳細參數
參數名稱 參數值
是否無鉛 不含鉛 不含鉛
是否Rohs認證 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 2014246566
零件包裝代碼 TO-220AB
包裝說明 LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3
針數 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8541.29.00.95
風險等級 1.92
其他特性 AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等級（Eas） 247 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 200 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 18 A
最大漏極電流 (ID) 18 A
最大漏源導通電阻 0.15 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-220AB
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
JESD-609代碼 e3
元件數量 1
端子數量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度） 250
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 150 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 72 A
認證狀態 Not Qualified
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 NO
端子面層 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON

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