IRFHM9331TRPBF

IRFHM9331TRPBF屬性

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IRFHM9331TRPBF描述

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詳細參數


參數名稱

參數值


Source Content uid IRFHM9331TRPBF
是否Rohs認證 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 8006010176
包裝說明 SMALL OUTLINE, S-PDSO-N5
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 52 weeks
風險等級 1.82
雪崩能效等級（Eas） 76 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 30 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 24 A
最大漏極電流 (ID) 11 A
最大漏源導通電阻 0.0146 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼 S-PDSO-N8
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 SQUARE
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2.8 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 90 A
認證狀態 Not Qualified
子類別 Other Transistors
表面貼裝 YES
端子面層 MATTE TIN
端子形式 NO LEAD
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON

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