SKiiP03NEC066V3

SKiiP03NEC066V3屬性

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SKiiP03NEC066V3描述

SKiiP03NEC066V3

品牌：西門康

電流：30A

電壓：600V

工作溫度(Max)：150℃

工作溫度(Min)：-40℃

安裝方式：螺絲型

包裝方式：標準封裝

貨期期：2天

庫存：910

發貨地：江蘇蘇州

IGBT的基本特性
1、 靜態特性
　　（1） 輸出特性：是UGE一定時集電極電流Ic與集電極-發射極電壓UCE的函數關系，即Ic=f（UCE）。
　　IGBT的輸出特性。UGE=0的曲線對應于IGBT處于斷態。在線性導電區I，UCE增大，Ic增大。在恒流飽和區Ⅱ，對于一定的UGE，UCE增大，IC不再隨UCE而增大。{{分頁}}
　　在UCE為負值的反壓下，其特性曲線類似于三極管的反向阻斷特性。
　　為了使IGBT安全運行，它承受的外加壓、反向電壓應小于正、反向折轉擊穿電壓。
　　（2） 轉移特性：（d）所示的集電極電流Ic與柵極電壓UGE的函數關系，即Ic=f(UGE)。
　　當UGE小于開啟閾值電壓UGE th時，等效MOSFET中不能形成導電溝道；因此IGBT處于斷態。當UGE>UGE th后，隨著UGE的增大，Ic顯著上升。實際運行中，外加電壓UGE的最大值UGEM一般不超過15V，以限制Ic 不超過IGBT管的允許值ICM。IGBT在額定電流時的通態壓降一般為1.5~3V。其通態壓降常在其電流較大（接近額定值）時具有正的溫度系數（Ic增大時，管壓降大）；因此在幾個IGBT并聯使用時IGBT器件具有電流自動調節均流的能力，這就使多個IGBT易于并聯使用。
2、 動態特性
　 IGBT的開通和關斷過程。開通過程的特性類似于MOSFET；因為在這個區間，IGBT大部分時間作為MOSFET運行。開通時間由4個部分組成。開通延遲時間td是外施柵極脈沖從負到正跳變開始，到柵-射電壓充電到UGE th的時間。這以后集電極電流從0開始上升，到90%穩態值的時間為電流上升時間tri。在這兩個時間內，集-射極間電壓UCE基本不變。此后，UCE開始下降。下降時間tfu1是MOSFET工作時漏-源電壓下降時間tfu2是MOSFET和PNP晶體管同時工作時漏-源電壓下降時間；因此，IGBT開通時間為 ton=td+tr+tfu1+tfu2。
　　開通過程中，在td、tr時間內，柵-射極間電容在外施正電壓作用下充電，且按指數規律上升，在tfu1、tfu2這一時間段內MOSFET開通，流過對GTR的驅動電流，柵-射極電壓基本維持IGBT完全導通后驅動過程結束。柵-射極電壓再次按指數規律上升到外施柵極電壓值。
　　IGBT關斷時，在外施柵極反向電壓作用下，MOSFET輸入電容放電，內部PNP晶體管仍然導通，在最初階段里，關斷的延遲時間td和電壓UCE的上升時間tr，由IGBT中的MOSFET決定。關斷時IGBT和MOSFET的主要差別是電流波形分為tfi1和tfi2兩部分，其中，tfi1由MOSFET決定，對應于MOSFET的關斷過程；tfi2由PNP晶體管中存儲電荷所決定。因為在tfi1末尾MOSFET已關斷，IGBT又無反向電壓，體內的存儲電荷難以被迅速消除；所以漏極電流有較長的下降時間。因為此時漏源電壓已建立，過長的下降時間會產生較大的功耗，使結溫增高；所以希望下降時間越短越好。
3、 擎住效應
　　(b)電路可以看到IGBT內部的寄生三極管T2與輸出三極管T1等效于一個晶閘管。內部體區電阻Rbr上的電壓降為一個正向偏壓加在寄生三極管T2的基極和發射極之間。當IGBT處于截止狀態和處于正常穩定通態時（ic不超過允許值時），Rbr上的壓降都很小，不足以產生T2的基極電流，T2不起作用。但如果ic瞬時過大，Rbr上壓降過大，則可能使T2導通，而一旦T2導通，即使撤除門極電壓UGE，IGBT仍然會像晶閘管一樣處于通態，使門極G失去控制作用，這種現象稱為擎住效應。在IGBT的設計制造時已盡可能地降低體區電阻Rbr，使IGBT的集電極電流在最大允許值ICM時，Rbr上的壓降仍小于T2管的起始導電所必需的正偏壓。但在實際工作中ic一旦過大，則可能出現擎住效應。如果外電路不能限制ic的增長，則可能損壞器件。{{分頁}}
　　除過大的ic可能產生擎住效應外，當IGBT處于截止狀態時，如果集電極電源電壓過高，使T1管漏電流過大，也可能在Rbr上產生過高的壓降，使T2導通而出現擎住效應。
　　可能出現擎住效應的第三個情況是：在關斷過程中，MOSFET的關斷十分迅速，MOSFET關斷后圖1(b)中三極管T2的J2結反偏電壓UBA增大，MOSFET關斷得越快，集電極電流ic減小得越快，則UCA=Es-R

西門康 SKiiP01NAC066V3
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