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SKiiP13AC126V1

SKiiP13AC126V1產品圖片
  • 發布時間:2022/11/24 16:55:03
  • 所屬類別:電力半導體器件 » IGBT模塊
  • 公    司:蘇州銀邦電子科技有限公司
  • 聯 系 人:19951158678
  • SKiiP13AC126V1供應商

SKiiP13AC126V1屬性

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  • 西門康

SKiiP13AC126V1描述

SKiiP13AC126V1

品牌:西門康

電流:30A

電壓:1200V

工作溫度(Max):150℃

工作溫度(Min):-40℃

安裝方式:螺絲型

包裝方式:標準封裝

貨期期:2天

庫存:910

發貨地:江蘇蘇州

IGBT的基本特性
1、 靜態特性
  (1) 輸出特性:是UGE一定時集電極電流Ic與集電極-發射極電壓UCE的函數關系,即Ic=f(UCE)。
  IGBT的輸出特性。UGE=0的曲線對應于IGBT處于斷態。在線性導電區I,UCE增大,Ic增大。在恒流飽和區Ⅱ,對于一定的UGE,UCE增大,IC不再隨UCE而增大。{{分頁}}
  在UCE為負值的反壓下,其特性曲線類似于三極管的反向阻斷特性。
  為了使IGBT安全運行,它承受的外加壓、反向電壓應小于正、反向折轉擊穿電壓。
  (2) 轉移特性:(d)所示的集電極電流Ic與柵極電壓UGE的函數關系,即Ic=f(UGE)。
  當UGE小于開啟閾值電壓UGE th時,等效MOSFET中不能形成導電溝道;因此IGBT處于斷態。當UGE>UGE th后,隨著UGE的增大,Ic顯著上升。實際運行中,外加電壓UGE的最大值UGEM一般不超過15V,以限制Ic 不超過IGBT管的允許值ICM。IGBT在額定電流時的通態壓降一般為1.5~3V。其通態壓降常在其電流較大(接近額定值)時具有正的溫度系數(Ic增大時,管壓降大);因此在幾個IGBT并聯使用時IGBT器件具有電流自動調節均流的能力,這就使多個IGBT易于并聯使用。
2、 動態特性
  IGBT的開通和關斷過程。開通過程的特性類似于MOSFET;因為在這個區間,IGBT大部分時間作為MOSFET運行。開通時間由4個部分組成。開通延遲時間td是外施柵極脈沖從負到正跳變開始,到柵-射電壓充電到UGE th的時間。這以后集電極電流從0開始上升,到90%穩態值的時間為電流上升時間tri。在這兩個時間內,集-射極間電壓UCE基本不變。此后,UCE開始下降。下降時間tfu1是MOSFET工作時漏-源電壓下降時間tfu2是MOSFET和PNP晶體管同時工作時漏-源電壓下降時間;因此,IGBT開通時間為 ton=td+tr+tfu1+tfu2。
  開通過程中,在td、tr時間內,柵-射極間電容在外施正電壓作用下充電,且按指數規律上升,在tfu1、tfu2這一時間段內MOSFET開通,流過對GTR的驅動電流,柵-射極電壓基本維持IGBT完全導通后驅動過程結束。柵-射極電壓再次按指數規律上升到外施柵極電壓值。
  IGBT關斷時,在外施柵極反向電壓作用下,MOSFET輸入電容放電,內部PNP晶體管仍然導通,在最初階段里,關斷的延遲時間td和電壓UCE的上升時間tr,由IGBT中的MOSFET決定。關斷時IGBT和MOSFET的主要差別是電流波形分為tfi1和tfi2兩部分,其中,tfi1由MOSFET決定,對應于MOSFET的關斷過程;tfi2由PNP晶體管中存儲電荷所決定。因為在tfi1末尾MOSFET已關斷,IGBT又無反向電壓,體內的存儲電荷難以被迅速消除;所以漏極電流有較長的下降時間。因為此時漏源電壓已建立,過長的下降時間會產生較大的功耗,使結溫增高;所以希望下降時間越短越好。
3、 擎住效應
  (b)電路可以看到IGBT內部的寄生三極管T2與輸出三極管T1等效于一個晶閘管。內部體區電阻Rbr上的電壓降為一個正向偏壓加在寄生三極管T2的基極和發射極之間。當IGBT處于截止狀態和處于正常穩定通態時(ic不超過允許值時),Rbr上的壓降都很小,不足以產生T2的基極電流,T2不起作用。但如果ic瞬時過大,Rbr上壓降過大,則可能使T2導通,而一旦T2導通,即使撤除門極電壓UGE,IGBT仍然會像晶閘管一樣處于通態,使門極G失去控制作用,這種現象稱為擎住效應。在IGBT的設計制造時已盡可能地降低體區電阻Rbr,使IGBT的集電極電流在最大允許值ICM時,Rbr上的壓降仍小于T2管的起始導電所必需的正偏壓。但在實際工作中ic一旦過大,則可能出現擎住效應。如果外電路不能限制ic的增長,則可能損壞器件。{{分頁}}
  除過大的ic可能產生擎住效應外,當IGBT處于截止狀態時,如果集電極電源電壓過高,使T1管漏電流過大,也可能在Rbr上產生過高的壓降,使T2導通而出現擎住效應。
  可能出現擎住效應的第三個情況是:在關斷過程中,MOSFET的關斷十分迅速,MOSFET關斷后圖1(b)中三極管T2的J2結反偏電壓UBA增大,MOSFET關斷得越快,集電極電流ic減小得越快,則UCA=Es-R

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