TPD4E05U06DQAR
TPD4E05U06DQAR屬性
- 0
- USON10
- 0
- TI/德州儀器
TPD4E05U06DQAR描述
參數名稱 參數值
Source Content uid TPD4E05U06DQAR
Brand Name Texas Instruments
是否無鉛 不含鉛 不含鉛
是否Rohs認證 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1286216092
包裝說明 R-PDSO-N10
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8541.10.00.80
風險等級 1.5
Samacsys Description 4-Channel Ultra-Low-Capacitance IEC ESD Protection Diode
Samacsys Manufacturer Texas Instruments
Samacsys Modified On 2018-06-06 11:10:46
YTEOL 15
其他特性 ULTRA LOW CAPACITANCE
最大擊穿電壓 8.5 V
最小擊穿電壓 6.5 V
擊穿電壓標稱值 7.5 V
最大鉗位電壓 10 V
配置 SINGLE
二極管元件材料 SILICON
二極管類型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代碼 R-PDSO-N10
JESD-609代碼 e4
濕度敏感等級 1
最大非重復峰值反向功率耗散 40 W
元件數量 1
端子數量 10
最高工作溫度 125 °C
最低工作溫度 -40 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度(攝氏度) 260
極性 UNIDIRECTIONAL
參考標準 IEC-61000-4-2, 4-4, 4-5
最大重復峰值反向電壓 5.5 V
最大反向電流 0.01 μA
反向測試電壓 2.5 V
子類別 Transient Suppressors
表面貼裝 YES
技術 AVALANCHE
端子面層 NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式 NO LEAD
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
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