NTR1P02T1G
- 發布時間：2023/2/13 15:58:32
- 所屬類別：集成電路 » 集成電路
- 公 司：深圳市騰浩偉業電子有限公司
NTR1P02T1G屬性
- 分立半導體產品 晶體管 FET，MOSFET 單 FET，MOSFET
- SOT-23-3
- ON
NTR1P02T1G描述
類別
分立半導體產品
晶體管
FET，MOSFET
單 FET，MOSFET
制造商
onsemi
系列
-
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
1A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
180 毫歐 @ 1.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
2.5 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
165 pF @ 5 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SOT-23-3（TO-236）
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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公網安備44030402000607
