NDD03N80ZT4G

發布時間：2023/2/22 11:52:59
所屬類別：集成電路 » 集成電路
公司：深圳市騰浩偉業電子有限公司

NDD03N80ZT4G屬性

本站價格：0
用途：
規格：TO-252
市場價格：0
生產廠家：ON/安森美

NDD03N80ZT4G描述

參數名稱參數值
Source Content uid NDD03N80ZT4G
Brand Name ON Semiconductor
是否無鉛不含鉛不含鉛
生命周期 Obsolete
Objectid 1246613604
零件包裝代碼 DPAK
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
針數 4
制造商包裝代碼 369AA
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8541.29.00.95
風險等級 9.39
Samacsys Manufacturer onsemi
Samacsys Modified On 2021-10-19 11:40:01
雪崩能效等級（Eas） 100 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 800 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 2.9 A
最大漏極電流 (ID) 1.9 A
最大漏源導通電阻 4.5 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼 R-PSSO-G2
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 96 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 12 A
子類別 FET General Purpose Powers
表面貼裝 YES
端子面層 TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管元件材料 SILICON