IRF3205ZPBF

發布時間：2023/2/28 14:52:07
所屬類別：集成電路 » 集成電路
公司：深圳市騰浩偉業電子有限公司

IRF3205ZPBF屬性

本站價格：
用途：
規格：TO-220
市場價格：
生產廠家： INFINEON/英飛凌

IRF3205ZPBF描述

參數值
源內容 uid IRF3205ZPBF
是否Rohs認證符合符合
生命周刊積極的
對象編號 8006006056
包裝說明法蘭安裝，R-PSFM-T3
達成合規守則合規的
原產地中國大陸
ECCN代碼 EAR99
工廠交貨時間 56周4天
風險等級 0.9
Samacsys 說明 MOSFET N 溝道 55V 110A HEXFET TO220AB Infineon IRF3205ZPBF N 溝道 MOSFET 晶體管，110 A，55 V，3 針 TO-220AB
Samacsys 制造商英飛凌
Samacsys 修改日期 2020-11-30 19:47:12
YTEOL 5.2
其他特性雪崩額定、高可靠性、超低電阻
雪崩能效等級（Eas） 250兆焦耳
外殼連接流走
配置單顆內置二極管
最小漏源擊穿電壓 55伏
最大漏極電流 (Abs) (ID) 75 安
最大漏極電流 (ID) 75 安
最大漏源導通電壓 0.0065 歐姆
場效應管技術金屬氧化物半導體
JEDEC-95代碼 TO-220AB
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
JESD-609代號 e3
元數 1個
端子數量 3個
工作模式增強模式
最高工作溫度 175℃
封裝主體材料塑料/環氧樹脂
封裝形態矩形的
封裝形式法蘭安裝
極性/信道類型 N溝道
最大效能指數 (Abs) 170 瓦
最大脈搏漏極電流 (IDM) 440安
認證狀態不合格
子類別 FET 通用電源
表面貼裝不
端子面層霧錫鍍鎳
端子形式通孔
端子位置單身的
晶體管應用交換
晶體管元材料硅