FS820R08A6P2B
- 發布時間：2023/3/23 10:47:04
- 所屬類別：集成電路 » 集成電路
- 公 司：深圳市騰浩偉業電子有限公司
FS820R08A6P2B屬性
- MODULE
- INFINEON
FS820R08A6P2B描述
參數名稱 參數值
生命周期 Active
Objectid 8366504325
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
風險等級 7.53
Samacsys Description Trans IGBT Module N-CH 750V 820A
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2023-03-07 17:25:40
YTEOL 5.38
外殼連接 ISOLATED
最大集電極電流 (IC) 820 A
集電極-發射極最大電壓 750 V
配置 3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
門極發射器閾值電壓最大值 6.5 V
門極-發射極最大電壓 20 V
JESD-30 代碼 R-XUFM-X33
元件數量 6
端子數量 33
最高工作溫度 150 °C
最低工作溫度 -40 °C
封裝主體材料 UNSPECIFIED
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 714 W
表面貼裝 NO
端子形式 UNSPECIFIED
端子位置 UPPER
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管應用 POWER CONTROL
晶體管元件材料 SILICON
標稱斷開時間 (toff) 1110 ns
標稱接通時間 (ton) 380 ns
VCEsat-Max 1.35 V
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