IPW65R110CFDA

• 發布時間：2023/3/25 23:26:28
• 所屬類別：集成電路 » 集成電路
• 公    司：深圳市慈安科技有限公司

IPW65R110CFDA屬性

IPW65R110CFDA描述

制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續漏極電流: 31.2 A
Rds On-漏源導通電阻: 99 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V
Qg-柵極電荷: 118 nC
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 277.8 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標名: CoolMOS
系列: CoolMOS CFDA
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 6 ns
高度: 21.1 mm
長度: 16.13 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 11 ns
240
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 68 ns
典型接通延遲時間: 16 ns
寬度: 5.21 mm
零件號別名: SP000895236 IPW65R11CFDAXK IPW65R110CFDAFKSA1
單位重量: 6 g

晶體管有三個極: 雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）; 場效應晶體管的三個極，分別是源極（Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。

晶體管因為有三種極性，所以也有三種的使用方式，分別是發射極接地（又稱共射放大、CE組態）、基極接地（又稱共基放大、CB組態）和集電極接地（又稱共集放大、CC組態、發射極隨隅器）。

在雙極性晶體管中，射極到基極的很小的電流，會使得發射極到集電極之間，產生大電流；在場效應晶體管中，在柵極施加小電壓，來控制源極和泄極之間的電流。

在模擬電路中，晶體管用于放大器、音頻放大器、射頻放大器、穩壓電路；在計算機電源中，主要用于開關電源。


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