IRF7317TRPBF
- 發布時間：2023/3/29 17:47:34
- 所屬類別：集成電路 » 集成電路
- 公 司：深圳市騰浩偉業電子有限公司
IRF7317TRPBF屬性
- 功率場效應晶體管
- SOP-8
- Infineon(英飛凌)
IRF7317TRPBF描述
參數名稱 參數值
是否無鉛 不含鉛 不含鉛
是否Rohs認證 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 2142155825
Reach Compliance Code unknown
ECCN代碼 EAR99
HTS代碼 8541.29.00.95
風險等級 7.4
其他特性 AVALANCHE RATED
雪崩能效等級（Eas） 100 mJ
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 20 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 6.6 A
最大漏極電流 (ID) 6.6 A
最大漏源導通電阻 0.029 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 MS-012AA
JESD-30 代碼 R-PDSO-G8
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 2
端子數量 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 N-CHANNEL AND P-CHANNEL
功耗環境最大值 2 W
最大功率耗散 (Abs) 2 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 26 A
認證狀態 Not Qualified
子類別 Other Transistors
表面貼裝 YES
端子面層 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
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