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TC58NYG2S0HBAI4

TC58NYG2S0HBAI4產品圖片
  • 發布時間:2023/4/28 22:20:50
  • 所屬類別:集成電路 » 集成電路
  • 公    司:深圳市利源芯科技有限公司

TC58NYG2S0HBAI4屬性

  • 特價
  • 存儲芯片
  • BGA63
  • KIOXIA/鎧俠

TC58NYG2S0HBAI4描述

TC58NYG2S0HBAI4是一個1.8V 4 Gbit (4,563,402,752 bits) NAND,可電擦除
可編程只讀存儲器(NAND E2PROM)組織為(4096 + 256)字節64頁2048塊。
該設備有兩個4352字節的靜態寄存器,允許程序和讀取數據在設備之間傳輸
寄存器和內存單元數組以4352字節為增量。Erase操作在單個塊中實現
單位(256 kb + 16 kb: 4352字節64頁)。
TC58NYG2S0HBAI4是一種串行型存儲設備,它利用I/O引腳來存儲地址和數據
輸入/輸出以及命令輸入。擦除和程序操作自動執行,使
該設備最適合于固態文件存儲、錄音、圖像文件存儲等應用
攝像機和其他需要高密度非易失性存儲器數據存儲的系統。


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MT29F4G08ABADAH4:D特性  •開放NAND閃存接口(ONFI) 1.0兼容1  •單級電池(SLC)
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