FF200R12KT4

• 發布時間：2023/5/19 15:11:48
• 所屬類別：電力半導體器件 » 晶閘管智能模塊
• 公    司：上海賀光新能源科技有限公司
• 聯 系 人：蔡經理
• 

FF200R12KT4屬性

FF200R12KT4描述

詳細參數
參數名稱 參數值
Source Content uid FF200R12KT4
是否無鉛 不含鉛 不含鉛
是否Rohs認證 符合 符合
生命周期 Active
Objectid 1771018212
零件包裝代碼 MODULE
包裝說明 FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
針數 7
Reach Compliance Code compliant
ECCN代碼 EAR99
風險等級 7.67
Samacsys Description Infineon FF200R12KT4, IGBT Module, Dual, 320 A max, 1200 V, 3-Pin
Samacsys Manufacturer Infineon
Samacsys Modified On 2023-02-22 15:33:28
YTEOL 5.38
外殼連接 ISOLATED
最大集電極電流 (IC) 320 A
集電極-發射極最大電壓 1200 V
配置 SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
門極-發射極最大電壓 20 V
JESD-30 代碼 R-XUFM-X7
元件數量 2
端子數量 7
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 UNSPECIFIED
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度） NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1100 W
認證狀態 Not Qualified
子類別 Insulated Gate BIP Transistors
表面貼裝 NO
端子形式 UNSPECIFIED
端子位置 UPPER
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管元件材料 SILICON
標稱斷開時間 (toff) 700 ns
標稱接通時間 (ton) 680 ns
VCEsat-Max 2.15 V

型號齊全
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規格  產品屬性 屬性值 選擇屬性  制造商: Infineon   產品種類: IGBT 模塊   RoHS: 詳細

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參數名稱 參數值  Source Content uid FF300R12KT4  是否無鉛 不含鉛 不含鉛  是否Rohs認證

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參數名稱 參數值  Source Content uid FF300R12KS4  是否無鉛 不含鉛 不含鉛  是否Rohs認證

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參數名稱 參數值  是否無鉛 不含鉛 不含鉛  是否Rohs認證 符合 符合  生命周期 Transferred  Ob