91精品一区二区三区久久久久久_欧美一级特黄大片色_欧美一区二区人人喊爽_精品一区二区三区av

  • IC/元器件
  • 技術資料
  • 電子資訊
當前位置:51電子網 » 電子元器件庫 » 模塊 » MOSFET

WMB175N10HG4功能和用法

WMB175N10HG4功能和用法產品圖片
  • 發布時間:2024/10/11 11:38:53
  • 所屬類別:模塊 » MOSFET
  • 公    司:深圳市和誠半導體有限公司
  • 聯 系 人:陳先生\陳小姐
  • WMB175N10HG4功能和用法供應商

WMB175N10HG4功能和用法屬性

  • 0
  • 維安WAYON

WMB175N10HG4功能和用法描述

WMB175N10HG4的功能與應用
一、引言
隨著現代電子技術的飛速發展,尤其是在電力電子和半導體行業,功率器件的性能對于整個電路的穩定性和效率至關重要。WMB175N10HG4作為一款重要的功率MOSFET,其優良的電氣性能和廣泛的應用場景受到業界的重視。本文將詳細探討WMB175N10HG4的基本功能、結構特性以及在不同領域的具體應用。
二、WMB175N10HG4的基本特性
WMB175N10HG4是一種以氮化鎵(GaN)技術為基礎的功率金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)。其工作電壓范圍為10V,并能夠有效處理175A的電流。這一特性使其在高功率應用中表現出色。通過優化設計,WMB175N10HG4具有較低的導通電阻和高開關頻率,從而提高了整體系統的能效。
三、結構特性
WMB175N10HG4的正確工作依賴于其內部結構的設計。其柵極采用了絕緣柵氧化物材料,與源極和漏極形成了有效的電場。這一設計不僅提高了開關速度,還有效降低了開關損耗。此外,其布局通常采用平面型或垂直型結構,這使得在高頻應用中提供了更低的功耗。
此外,WMB175N10HG4在散熱設計上也進行了優化。其散熱片通常采用鋁合金材料,將多余的熱量迅速散發到外部環境中,確保設備在高功率運行時依然能夠保持較好的工作溫度。優秀的散熱性能是其在工業應用中的一大優勢。
四、應用領域
WMB175N10HG4在眾多行業有著廣泛的應用,其主要包括以下幾個方面:
1. 電源管理
在電源管理領域,WMB175N10HG4憑借其快速的開關特性和高電流承載能力,常用于開關電源、DC-DC轉換器和不間斷電源(UPS)系統中。這些電源設備需要快速響應負載變化及高效率的能量傳輸,而WMB175N10HG4正好能夠滿足這一需求。
2. 電動汽車
電動汽車的快速發展對功率組件提出了更高的要求。在電動汽車的電機控制器和充電器中,WMB175N10HG4被廣泛應用于逆變器和充電模塊。其高開關頻率特性能夠顯著提高系統的功率密度,從而在有限空間內實現更高的效率,同時減少熱管理的復雜性。
3. 可再生能源
在可再生能源領域,如太陽能逆變器和風力發電系統,WMB175N10HG4的高效能和可靠性使其在能量轉換中得到了廣泛應用。借助于其優越的電氣性能,能夠提高能量的轉換效率,并降低整體盤點損耗。此外,在這些系統的高頻操作中,WMB175N10HG4的表現也成為能源系統設計中的一個重要因素。
4. 工業自動化
在工業自動化設備中,尤其是對于伺服電機控制和電源適配器等,WMB175N10HG4的使用能夠提高系統的響應速度和能效。通過應用在各種驅動系統中,該MOSFET能夠高效且平穩地控制電機的運行,提高了自動化設備的整體性能和穩定性。
五、工作原理
WMB175N10HG4的工作原理主要依賴于電場的控制。其柵極電壓的變化會直接影響源極和漏極之間的導通狀態。當柵極施加一定電壓時,MOSFET內部會形成一個導電通道,使得電流能夠自由流動。實際上,WMB175N10HG4在開關操作中的低導通電阻和快速恢復特性顯著降低了能量損耗,從而提高了組件的整體效率。
此外,在高頻操作時,MOSFET的輸出電容效應也會影響其工作性能。優化設計可以幫助降低寄生電容,提高開關速度和減少電氣噪聲。這一特性不僅提升了開關頻率,還降低了系統的電磁干擾(EMI)。
六、熱異常管理
盡管WMB175N10HG4具備優秀的熱管理能力,但在高功率應用中,散熱仍然是一個不容忽視的問題。為確保MOSFET長時間穩定工作,在設計中需要充分考慮散熱機制。通常采用散熱器、風扇或液冷系統來幫助散發熱量,同時也可以結合適當的PCB設計,以增強散熱效果。
七、未來展望
隨著技術的不斷進步,WMB175N10HG4及其后續產物在電力電子中的應用將會越來越廣泛。預計在未來,隨著更高頻率和更高功率要求的設備不斷推出,WMB175N10HG4的設計也將繼續優化,以便能更好地滿足不斷變化的市場需求。隨著氮化鎵技術和新材料的研發,WMB175N10HG4也將面臨更高的性能挑戰,為其在電力電子領域的應用提供了更多可能性。
30V-250V SGT N Channel Power MOSFET
1.Part No.:WMB175N10HG4*

2.Package:PDFN5*6-8L

3.VDS(V):100

4.Vgs Max(V):±20

5.ID(A)@TA=25℃(Max.):44

6.VGS(th)(V)(Typ.):3

7.Rds(on)(mΩ)@Vgs=10V(Max.):17.5

8.Rds(on)(mΩ)@Vgs=4.5V(Max.):/
深圳市和誠半導體有限公司
主要業務:代理產品有:維安WAYON,VANGUARD/威兆,Microne/微盟,SIFIRST賽威,APM/永源微,EG/屹晶微,
Microchip/微芯,SI/深愛,瑤芯微,TI,ADI,DIODES/美臺,PERICOM,PAM,
ZETEX,BCD, APT CHIP愛普特微,ON安森美,NEXPERIA等品牌。
聯系人:陳S/陳先生
電話:18929336553微信同號
QQ:1977615742 2276916927


WMB175N10HG4功能和用法相關產品

WMK175N10HG4功能用法
WMK175N10HG4功能用法研究  引言  隨著半導體技術的不斷進步,各類功率器件在現代電子設備中扮演著越來越重要的角色。其中,WMK
WMK175N10HG4功能用法
WMK175N10HG4功能用法研究  引言  隨著半導體技術的不斷進步,各類功率器件在現代電子設備中扮演著越來越重要的角色。其中,WMK
WMO175N10HG4功能用法
WMO175N10HG4的功能與應用研究  在現代電子設備和系統中,各種元器件的功能與性能至關重要。其中,WMO175N10HG4為一種高性能的N溝
WMS175N10HG4功能用法
WMS175N10HG4 功能用法研究  引言  在現代電子設備中,MOSFET(場效應晶體管)作為一種重要的電子元件,在開關電源、直流
WMQ099N10LG2功能用法
WMQ099N10LG2 功能與應用  引言  隨著電力電子技術的不斷發展,功率器件日益成為現代電子系統中的關鍵組成部分。WMQ099N
WMM053N10HGS功能用法
WMM053N10HGS 功能與用法  WMM053N10HGS 是一種創新的功率MOSFET(場效應晶體管),它在現代電子設備中扮演著至關重要的角
WMK053N10HGS功能用法
WMK053N10HGS的功能與應用  在現代電子設備和電力系統中,功率器件的應用日益廣泛,尤其是在高效能及高可靠性的領域。WMK053N10HGS
WMB128N10T2功能用法
WMB128N10T2的功能與應用研究  在現代電子技術中,隨著對高效能器件需求的日益增長,各種半導體器件如電源管理集成電路、固態繼電器和功率MOS
聯系方式
  • 聯系人:陳先生\陳小姐
  • 地 址:深圳市龍華區大浪街道龍平社區騰龍路淘金地電子商務孵化基地展滔商業廣場E座512
  • 郵 編:518000
  • 電 話:18929336553
  • 傳 真:
  • 郵 箱:1977615742@qq.com
  • Q Q:點擊這里給我發消息 QQ:1977615742 復制 點擊這里給我發消息 QQ:2276916927 復制
  • Q Q:點擊這里給我發消息點擊這里給我發消息
  • 微信:

版權所有:51dzw.COM
深圳服務熱線:13751165337  13692101218
粵ICP備09112631號-6(miitbeian.gov.cn)
公網安備44030402000607
深圳市碧威特網絡技術有限公司
付款方式


 復制成功!
图们市| 维西| 曲松县| 绵竹市| 浏阳市| 文昌市| 固镇县| 克什克腾旗| 太保市| 安阳市| 克山县| 会泽县| 泗洪县| 呈贡县| 东乌珠穆沁旗| 舒兰市| 鲁甸县| 东兰县| 买车| 襄城县| 清原| 平凉市| 平遥县| 遂昌县| 彭山县| 南雄市| 永城市| 九江县| 郴州市| 宣城市| 视频| 吐鲁番市| 镇雄县| 高州市| 三江| 廉江市| 孝义市| 秦皇岛市| 威宁| 普兰店市| 托里县|