IRF640NP
IRF640NP屬性
- MOSFET N 通道,金屬氧化物
- TO220
- IR
IRF640NP描述
類別 分立半導體產品
家庭 FET - 單
系列 HEXFET®
FET 類型 MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能 標準
漏源極電壓 (Vdss) 200V
電流 - 連續漏極 (Id)(25° C 時) 18A
不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值) 150 毫歐 @ 11A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) 67nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) 1160pF @ 25V
功率 - 最大值 150W
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-220-3
供應商器件封裝 TO-220AB
包裝 管件