WB4-6LSD

WB4-6LSD 屬性

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WB4-6LSD 描述

上海，2013年3月25日 -- 富士通半導體（上海）有限公司今日宣布，推出兩款新型FRAM產品－MB85RS1MT 和 MB85RS2MT，兩款產品分別帶有1 Mbit 和 2 Mbit的存儲器，是富士通半導體提供的最大容量的串口FRAM。這兩款產品將于2013年3月起開始提供新品樣片。

兩款新型產品保證有10萬億次的讀寫次數，大約是現有芯片的10倍，適合用于智能電表、工業機械和醫療設備。與容量相同的EEPROM相比，寫入時可減 少92%的功耗。另外，由于新款FRAM可以把所有系統存儲器器件（主要包括EEPROM、SRAM和用于保持數據的電池）所需的技術集成到單一芯片上， 因此可大幅降低器件成本，占板面積和功耗。這相應地極大地有助于開發小型和節能設備，使維修更加簡易，因此不再需要備用電池。

FRAM具有兩種特性：非易失性，即使關閉電源也能保存數據；隨機存取，可以快速寫入數據。即使發生突然電源故障和停電時，FRAM也可以安全存儲正在 寫入的數據，所以可以在斷電前保證立刻保護芯片信息和存儲數據。憑借該能力，自從1999年量產后，富士通半導體的FRAM產品一直廣泛應用于工業自動化 設備、測量設備、銀行終端以及醫療設備等。

作為對其FRAM 產品陣容的更新，富士通半導體最近開發了MB85RS1MT (1 Mbit) 和 MB85RS2MT (2 Mbit)，這兩款產品代表了公司迄今為止帶有SPI 串口的最高密度的FRAM產品。該系列產品讀寫次數提高到10萬億次，是富士通現行FRAM產品的10倍，因此可為實時連續數據記錄提供更好的支持。

對于包括智能電表和其它測量設備、工業機械以及醫療設備（如助聽器）－所有的這些設備都需要帶串口的1-2 Mbit 非易失存儲器－現在可以使用富士通半導體的新型FRAM產品取代傳統的EEPROM。在快速寫入方面的改善可以使性能更高，同時可使由于電壓突然下降或者 停電引起的數據丟失風險降至最低。針對寫入時所消耗的電量，新產品比EEPROM少消耗92%的電量，可以延長電池壽命。

展望未來，富士通半導體將繼續提供解決方案，幫助客戶提高終端產品的性能，促進客戶現場設備的維護，并最大程度地降低風險。

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