SI2301場效應管
- 發布時間：2013/9/1 17:32:00
- 所屬類別：其他未分類 » 其他未分類
- 公 司：深圳市建瑞馳電子有限公司
SI2301場效應管屬性
- SI2301
- VISHAY
SI2301場效應管描述
晶體管類型 ： P溝道MOSFET
最大功耗PD ： 1.25W
柵極門限電壓VGS ： 2.5V（典型值）
漏源電壓VDS ：－20V（極限值）
漏極電流ID：－2.3A
通態電阻RDS(on）：0.145ohm（典型值）
柵極漏電流IGSS：±100nA
結溫：55℃to+150℃
封裝：SOT-23(TO-236)
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