K4T1G164QF-BCE7

K4T1G164QF-BCE7屬性

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K4T1G164QF-BCE7描述

型號：K4T1G084QF-BCE7
品牌：SAMSUNG（三星）
產品封裝：FBGA封裝倒裝芯片（無鉛免費無鹵素）
溫度/功耗：商業溫度（0°C〜；+85°C），正常供電
類別：DRAM的〜；〜；DDR2 SDRAM，
容量及刷新速率：1GB，8K/64ms
芯片結構：X8
芯片排數：8家銀行
內存接口（VDD），VDDQ電壓：SSTL_18，1.8V，1.8V
內核代號F-模
速度：DDR2-800（400MHZ@ CL= 5，tRCD的= 5，TRP= 5）

Nand閃存芯片介紹
Nand-flash內存是flash內存的一種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優點，適用于大量數據的存儲，因而在業界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。
NAND Flash 的數據是以bit的方式保存在memory cell，一般來說，一個cell 中只能存儲一個bit。這些cell 以8個或者16個為單位，連成bit line，形成所謂的byte(x8)/word(x16)，這就是NAND Device的位寬。這些Line會再組成Page，(NAND Flash 有多種結構，我使用的NAND Flash 是K9F1208,下面內容針對三星的K9F1208U0M)，每頁528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area))，每32個page形成一個Block(32×528B)。具體一片flash上有多少個Block視需要所定。我所使用的三星k9f1208U0M具有4096個block，故總容量為4096×（32×528B）=66MB，但是其中的2MB是用來保存ECC校驗碼等額外數據的，故實際中可使用的為64MB。
NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數據，必須先擦除后寫入，因此擦除操作是閃存的基本操作。在NAND閃存中每個塊的最大擦寫次數是一百萬次，而NOR的擦寫次數是十萬次。NAND存儲器除了具有10比1的塊擦除周期優勢，典型的NAND塊尺寸要比NOR器件小8倍，每個NAND存儲器塊在給定的時間內的刪除次數要少一些。詳細資料請咨詢裕碩科技0755-82767795。

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