DMT2-47-8.2L
DMT2-47-8.2L 屬性
- 70
- 通信設備,工業控制系統,醫療軍工等行業
- DMT2-47-8.2L
- 75
- coilcraft
DMT2-47-8.2L 描述
中國,2013年8月13日 —— 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)推出業界首款采用深受市場歡迎的TO-247封裝的650V AEC-Q101汽車級MOSFET——STW78N65M5和STW62N65M5。在高壓脈沖環境中,650V額定電壓能夠為目標應用帶來更高的安全系數,有助于提高汽車電源和控制模塊的可靠性。這兩款器件導通電阻 (RDS(ON)) 極低,分別為0.032Ω 和0.049Ω,結合緊湊的TO-247封裝,可提高系統能效和功率密度。
新產品的市場領先的性能歸功于意法半導體的MDmesh V 超結(super-junction)技術。此項技術可生產單位硅面積導通電阻RDS(ON) 極低的高壓器件,使芯片的封裝尺寸變得更小。柵電荷(Qg)和輸入電容也極低,因此,Qg x RDS(ON)品質因數 (FOM,figure of meric)極其出色,開關性能和能效異常優異。此外,優異的抗雪崩(avalanche)性能可確保器件在持續高壓運行環境中提高耐用性。
OV7960-C48P
OV7960-E62W
OV7962-E62A
OV7962-E62Y
OV8610
OV8810-A67A
OV9121
OV9630
OV9653-V28A
OV9655-V28A
OV9660
OV9665
OV9710-HDDV
OV9712-V28A
OV9715-V28A
MDmesh V整合意法半導體專有的垂直式工藝和經過市場檢驗的PowerMESH水平式架構,導通電阻較同級別的MDmesh II器件降低大約50%。
意法半導體的采用TO-247封裝的650V汽車級MOSFET現已量產。