AS7787-A
AS7787-A 屬性
- 70
- 通信設備,工業控制系統,醫療軍工等行業
- AS7787-A
- 75
- coilcraft
AS7787-A 描述
高Ptot MOSFET和雙極性晶體管具有很低的RDson和VCesat基準值,適用于空間受限應用中的電源管理和負載開關
中國上海,2013年11月4日訊——恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克代碼:NXPI)近日推出首款采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN(分立式扁平無引腳)封裝的晶體管。全新產品組合由25種器件組成,其中包括低RDson MOSFET以及可將電流能力最高提升至3.2 A的低飽和通用晶體管。該全新產品系列憑借其超小外形和高性能,非常適用于空間受限的便攜式應用中的電源管理和負載開關,這是因為外形大小、功率密度和效率在這些應用中都是極為關鍵的因素。
恩智浦半導體公司晶體管產品經理Joachim Stange表示:“在如此小的塑料封裝內達到如此高的漏極和集極電流值是前所未有的。通過這一里程碑式的突破,恩智浦會繼續挑戰MOSFET和雙極性晶體管在超緊湊封裝和性能方面的極限。”
全新產品系列采用兩種封裝:單晶DFN1010D-3 (SOT1215)封裝,功耗最高達到1 W,具有可焊鍍錫側焊盤的特性。這些側焊盤提供光學焊接檢測的優勢,與傳統無鉛封裝相比,焊接連接質量更好,因此能滿足嚴格的汽車要求。雙晶封裝DFN1010B-6 (SOT1216),占用空間僅為1.1-mm2,是雙晶體管可采用的最小封裝。
OV7960-E62W
OV7962-E62A
OV7962-E62Y
OV8610
OV8810-A67A
OV9121
OV9630
OV9653-V28A
OV9655-V28A
OV9660
采用DFN1010封裝的產品可以替代許多WL-CSP器件。另外,該封裝也可以取代體積更大的DFN封裝和標準含鉛SMD封裝(例如達到其八倍體積的SOT23),同時提供同等甚至更為出色的性能。