集成電路（integrated circuit）

是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然后封裝在一個管殼內，成為具有所需電路功能的微型結構；其中所有元件在結構上已組成一個整體，使電子元件向著微小型化、低功耗和高可靠性方面邁進了一大步。

我國集成電路發展歷史：

我國集成電路產業誕生于六十年代，共經歷了三個發展階段：

1965年-1978年：

以計算機和軍工配套為目標，以開發邏輯電路為主要產 品，初步建立集成電路工業基礎及相關設備、儀器、材料的配套條件；

1978年-1990年：

主要引進美國二手設備，改善集成電路裝備水平，在“治散治亂”的同時，以消費類整機作為配套重點，較好地解決了彩電集成電路的國產化；

1990年-2000年：

以908工程、909工程為重點，以cad為突破口，抓好科技攻關和北方科研開發基地的建設，為信息產業服務，集成電路行業取得了新的發展。

世界集成電路發展歷史:

1947年：

貝爾實驗室肖特萊等人發明了晶體管，這是微電子技術發展中第一個里程碑；集成電路

1950年：

結型晶體管誕生；　1950年： r ohl和肖特萊發明了離子注入工藝；　1951年：

場效應晶體管發明；

1956年：c s fuller發明了擴散工藝；

1958年：仙童公司robert noyce與德儀公司基爾比間隔數月分別發明了集成電路，開創了世界微電子學的歷史；

1960年：h h loor和e castellani發明了光刻工藝；

1962年：美國rca公司研制出mos場效應晶體管；

1963年：f.m.wanlass和c.t.sah首次提出cmos技術，今天，95%以上的集成電路芯片都是基于cmos工藝；

1964年：intel摩爾提出摩爾定律，預測晶體管集成度將會每18個月增加1倍；

1966年：美國rca公司研制出cmos集成電路，并研制出第一塊門陣列（50門）；

1967年：應用材料公司（applied materials）成立，現已成為全球最大的半導體設備制造公司；

1971年：intel推出1kb動態隨機存儲器（dram），標志著大規模集成電路出現；

1971年：全球第一個微處理器4004由intel公司推出，采用的是mos工藝，這是一個里程碑式的發明；

1974年：rca公司推出第一個cmos微處理器1802；

1976年：16kb dram和4kb sram問世；

1978年：64kb動態隨機存儲器誕生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14萬個晶體管，標志著超大規模集成電路（vlsi）時代的來臨；

1979年：intel推出5mhz 8088微處理器，之后，ibm基于8088推出全球第一臺pc；

1981年：256kb dram和64kb cmos sram問世；

1984年：日本宣布推出1mb dram和256kb sram；

1985年：80386微處理器問世，20mhz；

1988年：16m dram問世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500萬個晶體管，標志著進入超大規模集成電路（vlsi）階段；

1989年：1mb dram進入市場；

1989年：486微處理器推出，25mhz，1μm工藝，后來50mhz芯片采用 0.8μm工藝；

1992年：64m位隨機存儲器問世；

1993年：66mhz奔騰處理器推出，采用0.6μm工藝；

1995年：pentium pro, 133mhz，采用0.6-0.35μm工藝；集成電路

1997年：300mhz奔騰Ⅱ問世，采用0.25μm工藝；

1999年：奔騰Ⅲ問世，450mhz，采用0.25μm工藝，后采用0.18μm工藝；

2000年：1gb ram投放市場；

2000年：奔騰4問世，1.5ghz，采用0.18μm工藝；

2001年：intel宣布2001年下半年采用0.13μm工藝。

2003年：奔騰4 e系列推出，采用90nm工藝。

2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工藝。

2007年：基于全新45納米high-k工藝的intel酷睿2 e7/e8/e9上市。

2009年：intel酷睿i系列全新推出，創紀錄采用了領先的32納米工藝，并且下一代22納米工藝正在研發。

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