英特爾公司（intel corporation）和美光科技股份有限公司（micron technology inc.）日前宣布，雙方依靠其獲獎的34納米nand工藝，推出每單元儲存3比特（3-bit-per-cell，簡稱3bps）的多層單元（mlc）nand技術試用產品。這些芯片最適合用于閃存卡和usb驅動器等消費存儲設備，在這類應用場合中，高密度和性價比是首要考慮的問題。

　　雙方組建的nand閃存合資企業im flash technologies公司（imft）開發了3bpc nand新技術，并利用這項技術生產出了目前市場上尺寸最小、性價比最高的32gb芯片。32gb 3bpc nand芯片面積為126mm²，將于2009年第四季度投入量產。兩家公司不斷致力于新的工藝微縮（process shrink）研發，現在推出的3bpc nand技術是其產品戰略的重要組成部分，也是為關鍵細分市場服務的有效途徑。

　　美光公司內存事業部副總裁brian shirley說，“我們把3bpc nand技術看作路線圖的重要組成部分。我們也會繼續推進n and工藝微縮的研發，從而在今后若干年為客戶提供世界一流的產品組合。今天發布的消息進一步表明，美光和英特爾在34納米nand技術方面已經取得了重大的進展。我們盼望今年晚些時候推出2xnm技術。”

　　英特爾公司副總裁、英特爾nand解決方案事業部總經理randy wilhelm說，“我們走向3bpc技術，這是英特爾和美光在34納米nand開發過程中取得突出進展的又一個證明。這一里程碑為我們在2xnm硅加工工藝方面保持領先地位奠定了基礎，而這種2xnm工藝將有助于為客戶節省成本，拓展我們nand解決方案的功能。”