聯電宣稱2011年試產28nm工藝3d堆疊芯片，使用28nm新工藝試產3d立體堆疊式芯片，并于2012年批量投產。
聯電ceo孫世偉(shih-wei sun)表示，這種3d堆疊芯片使用了硅通孔(tsv)技術，是聯電與日本爾必達、臺灣力成科技(pti)共同研發完成的。這次三方合作匯聚了聯電的制造技術、爾必達的內存技術和力成的封裝技術，并在3d ic方案中整合了邏輯電路和dram。

51電子網公益庫存:

AIC1084-1.8

AMS1505CMA

AP01N60H

AP9575J

AP98T06GP

BDT64C

BDT65F

BDT93

BT151-500R

BT152-650R

BTA06-200A

BTA06-200GP

BTA06-600C

　　　孫世偉指出，客戶需要3d-ic tsv方案用于下一代cmos圖像傳感器、mems芯片、功率放大器和其他設備，而使用tsv技術整合邏輯電路和dram能夠滿足it產業和消費電子產品發展所需要的更強性能、更高集成度。

　　　他強調說，聯電與爾必達、力成的合作將給客戶帶來一套完整的解決方案，包括邏輯電路和dram界面設計、tsv構成、晶圓研磨薄化與測試、芯片堆疊封裝。　　　

　　　力成董事長dk tsai則補充說，他們已經與爾必達就tsv技術探討了兩年之久。

　　　爾必達ceo兼總裁阪本幸雄(yukio sakamoto)透露，他們利用tsv技術開發出了8gb dram芯片，能在邏輯電路和dram設備之間提供大量i/o連接，顯著提高數據傳輸率、降低功耗。