新產品所具有的25v電壓容差（vdss）為rjk0210dpa、rjk0211dpa和rjk0212dpa分別實現了40a、30a和25a的最大電流（id）。另外，新產品的總品度值（vgs = 4.5v時的標準值）分別為6.84mΩ?nc、7.83mΩ?nc和7.2 mΩ?nc，這比瑞薩電子第10代功率mosfet（在用作控制功率mosfet時，其提供了比第11代產品更好的總品度值）降低了約40%。

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此外，新產品的柵-漏電荷電容（qgd），即控制功率mosfet的主要特性分別為1.2nc、0.9nc和0.6nc，也比瑞薩電子第10代功率 mosfet（利用相同的導通電阻進行測量時）低了約40%。該數值越小表明開關損耗越低，則更有助于大幅提升dc/dc轉換器性能和提高能效。

通常，dc/dc轉換器具有2個功率mosfet：一個用于控制，另一個則用于實現同步整流。它們輪流開關以進行電壓轉換。假設新型rjk0210dpa 用于實現控制，同時將瑞薩電子第11代rjk0208dpa用于實現同步整流，那么在將電壓從12v轉換為1.05v時，其最高功率轉換效率則可實現 90.6%（在輸出電流為18a的情況下）和86.6%（在輸出電流為40a的情況下）。（這2個數值均基于300khz的開關頻率和兩相配置。）

新產品采用具有出色散熱特性、尺寸為5.1 × 6.1 mm、厚0.8mm（最大值）的wpak（瑞薩電子封裝編號）封裝。同時，器件下面所裝有的壓料墊，能夠在功率mosfet工作時將其產生的熱量傳導至印刷電路板，并且使功率mosfet能夠處理大電流。瑞薩電子株式會社（tse：6723，以下簡稱瑞薩電子）已于近日宣布開始供應第12代新型功率mosfet（金屬氧化物半導體晶體管）產品—— rjk0210dpa、rjk0211dpa和rjk0212dpa。新產品作為面向dc/dc轉換器的功率半導體器件，主要面向計算機服務器和筆記本電腦等的應用。

本次推出的3款功率mosfet可用于控制cpu和存儲器的電壓轉換電路。例如，可作為降壓電路，用于將電池提供的12v電壓轉換為1.05v，以便為 cpu所用。隨著公司進一步推進第12代生產工藝的小型化，瑞薩電子的新型mosfet將fom（品質因數=導通電阻×柵極電荷）在公司現有產品的基礎上降低了約40%，這使電壓轉換過程中的功率損耗大幅降低，從而實現了更高的dc/dc轉換器性能。

隨著信息與通信產品（如服務器、筆記本電腦和圖形卡等）性能的不斷提升，其所需的功耗也在不斷增加。與此同時，不斷降低元件（如cpu、圖形處理單元（gpu）、存儲器、asic）工作電壓的發展趨勢又導致了電流的增加。這樣就需要dc/dc轉換器能夠處理低壓和大電流。除此之外，日益增長的節能環保需求，也提出了降低電壓轉換過程中的功率損耗與提高轉換效率的要求。而瑞薩電子本次所推出的3款第12代功率mosfet產品因其領先于業內的性能與降低約40%的fom，滿足了上述需求。