新款n溝道mosfet使用vishay planar cell技術進行生產，該技術為減小通態電阻進行了定制處理，可以在雪崩和通訊模式下承受高能脈沖。與前一代mosfet相比，sihp16n50c、sihf16n50c、sihb16n50c和sihg16n50c還具有更快的開關速度，并減小了開關損耗。

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ADC0838CCWM

H5160

N760118CFKC102

LT1490CS8

SCC2681AC1N28

OP184FSZ-REEL7

V63C328J02

PIC16C56A-04I/SO

XC2V3000-4BF728C

07009125C

這些器件符合rohs指令2002/95/ec，并且經過了完備的雪崩測試，以實現可靠工作。

  vishay intertechnology, inc.（nyse 股市代號：vsh）宣布，推出4款新型500v、16a的n溝道功率mosfet --- sihp16n50c、sihf16n50c、sihb16n50c和sihg16n50c。新mosfet在10v柵極驅動下具有0.38Ω的超低最大導通電阻，柵極電荷降至68nc，采用to-220ab、to-220 fullpak、d²pak和to-247ac封裝。

sihp16n50c (to-220ab)、sihf16n50c (to-220 fullpak)、sihb16n50c (d²pak)和sihg16n50c (to-247ac)的低導通電阻意味著更低的傳導損耗，從而在功率因數校正(pfc)升壓電路、脈寬調制(pwm)半橋和各種應用的llc拓撲中節約能源，這些應用包括筆記本電腦的交流適配器、pc機電源、lcd tv和開放式電源。

除了低導通電阻，這些器件的柵極電荷為68nc。柵極電荷與導通電阻的乘積是功率轉換應用中mosfet的優值系數(fom)，這些mosfet的fom只有25.84 Ω-nc。