IR：MOSFET系列
發布時間:2011/2/15 10:52:31 訪問次數:385
irf6811控制mosfet及irf6894同步mosfet分別以小罐及中罐供貨。25v directfetplus 組件結合了業界領先的導通電阻和柵極電荷以及低電荷，將傳導和開關損耗降到最低。irf6894還設有集成式單片肖特基二極管，可降低由體二極管傳導和反向恢復導致的損耗。新型directfetplus mosfet與上一代器件的占位面積兼容。
- 51電子網公益庫存:
- K4D2632385-GC2A
- AD13280/PCB
- LH1517A
- SC79213
- QMV104DT5
- VDP3108A
- Z0853606PSC
- NCP5382MNR2G
- GAL22V10D-25LP
- N13S128324A-3.6B
產品規格
|
器件編號 |
bvdss (v) |
10v時的 典型導通電阻(mΩ) |
4.5v時的 典型導通電阻(mΩ) |
vgs (v) |
典型qg (nc) |
典型qgd (nc) |
概要代碼 |
|
irf6811spbf |
25 |
2.8 |
4.1 |
+/-16 |
11 |
4.2 |
sq |
|
irf6894mpbf |
25 |
0.9 |
1.3 |
+/-16 |
29 |
10 |
mx |
專利和商標
ir 和 directfet 是國際整流器公司 (international rectifier corporation) 的注冊商標。文中所提及其它產品名稱均為對應持有人所有的商標。
國際整流器公司 (international rectifier，簡稱ir) 推出directfetplus功率mosfet系列，采用了ir的新一代硅技術，可為 12v輸入同步降壓應用提供最佳效率，這些應用包括新一代服務器、臺式電腦和筆記本電腦。
irf6811和irf6894是新系列directfetplus的首批器件，比上一代器件減少了導通電阻 (rds (on) ) 和柵極電荷 (qg) ，使其效率大幅提高2%。此外，這些器件具有超低柵極電阻 (rg) ，通過把dc-dc轉換器的開關損耗降至最低來進一步提高效率。
irf6811控制mosfet及irf6894同步mosfet分別以小罐及中罐供貨。25v directfetplus 組件結合了業界領先的導通電阻和柵極電荷以及低電荷，將傳導和開關損耗降到最低。irf6894還設有集成式單片肖特基二極管，可降低由體二極管傳導和反向恢復導致的損耗。新型directfetplus mosfet與上一代器件的占位面積兼容。
- 51電子網公益庫存:
- K4D2632385-GC2A
- AD13280/PCB
- LH1517A
- SC79213
- QMV104DT5
- VDP3108A
- Z0853606PSC
- NCP5382MNR2G
- GAL22V10D-25LP
- N13S128324A-3.6B
產品規格
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器件編號 |
bvdss (v) |
10v時的 典型導通電阻(mΩ) |
4.5v時的 典型導通電阻(mΩ) |
vgs (v) |
典型qg (nc) |
典型qgd (nc) |
概要代碼 |
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irf6811spbf |
25 |
2.8 |
4.1 |
+/-16 |
11 |
4.2 |
sq |
|
irf6894mpbf |
25 |
0.9 |
1.3 |
+/-16 |
29 |
10 |
mx |
專利和商標
ir 和 directfet 是國際整流器公司 (international rectifier corporation) 的注冊商標。文中所提及其它產品名稱均為對應持有人所有的商標。
國際整流器公司 (international rectifier，簡稱ir) 推出directfetplus功率mosfet系列，采用了ir的新一代硅技術，可為 12v輸入同步降壓應用提供最佳效率，這些應用包括新一代服務器、臺式電腦和筆記本電腦。
irf6811和irf6894是新系列directfetplus的首批器件，比上一代器件減少了導通電阻 (rds (on) ) 和柵極電荷 (qg) ，使其效率大幅提高2%。此外，這些器件具有超低柵極電阻 (rg) ，通過把dc-dc轉換器的開關損耗降至最低來進一步提高效率。
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