mosfet的運行溫度更低，并可節省空間，加上離板高度僅為0.4毫米，尤其適用于超薄便攜式消費電子產品，包括平板電腦及智能手機。diodes 率先提供額定電壓為20v、30v及60v的n溝道和p溝道器件，這些器件可用于多種高可靠性的負載開關 (load switching)、信號轉換 (signal switching) 及升壓轉換 (boost conversion) 應用。

51電子網公益庫存:

D323GT70VI

GD4069UB

JRC13600D

L293D

M1-7611-5

ONET4291PARGVR

P2503NPG

R6639-12

S21MD3V

U6316B

例如，額定電壓為20v的dmn2300ufb4 n溝道mosfet的導通電阻僅為150mΩ，比同類解決方案低一半以上，有助于大幅減少傳導損耗和功耗。而p溝道、20v 的dmn2300ufb4可提供類似的同類領先性能。這兩款mosfet同時具備較高的靜電放電額定值 (esd rating)，分別為2kv和3kv。

diodes公司推出一系列采用超小型dfn1006-3封裝的高性能mosfet產品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的pcb面積，較同類sot723封裝器件節省一半以上的占板空間，其結點至環境熱阻 (roja) 為256ºc/w，在連續條件下功耗高達1.3w，而同類產品的功耗則多出一倍。 深圳市利富源電子有限公司