fm25p16 低功耗存儲器

fm25p16采用先進的鐵電工藝，獲得達到100萬億 (1e14) 讀/寫次數的幾乎無限的耐用性，且數據能夠可靠地保存10年。fm25p16采用快速串行外設接口(spi)，以1mhz頻率的全速總線速率運作。

特性

- 16kb 鐵電非易失性ram，采用2,044 x 8位結構

- 無限的讀/寫次數

- 數據保存10年

- 無延遲 (nodelay) 寫入

超低功耗運作

- 1.8 至 3.6v 運作電壓

- 3.2 μa (典型) 有效電流 100 khz

- 1.2 μa (典型) 待機電流

串行外設接口 - spi

- 頻率高達1 mhz

- spi 模式 0 & 3

工業標準配置

- 工業溫度范圍為 -40°c至 +85°c

- “綠色”/rohs標準8腳 soic封裝

世界領先的非易失性鐵電隨機存取存儲器 (f-ram) 和集成半導體產品開發商及供應商ramtron international corporation (簡稱ramtron) 宣布推出世界上最低功耗的非易失性存儲器。該16 kb器件的型號為fm25p16，是業界功耗最低的非易失性存儲器，為對功耗敏感的系統設計開創了全新的機遇。fm25p16是ramtron低功耗存儲器系列中的首個產品，其能耗僅為eeprom 器件的千分之一，并具有快速讀/寫特性和幾無乎無限次的耐用性。

ramtron市場推廣副總裁scott emley表示：“非易失性f-ram存儲器的快速寫入能力與創新性ic設計相結合，讓我們可以實現迄今為止最低功耗的非易失性存儲器，典型主動電流只有約3微安。通過采用ramtron的低功耗f-ram存儲器，對功耗敏感的應用如無線傳感器節點、遠程儀表、保健產品以及新興的能量收集應用等，就能夠更頻繁地寫入數量級的數據，并同時降低系統功耗。”

ramtron 低功耗存儲器的優點隨系統寫入數據的次數更加頻繁而大大增加，與串口eeprom不同，fm25p16能夠以總線速率執行寫入操作而無寫入延遲。這些能力使得fm25p16適用于同時要求極低功耗與頻繁或快速寫入特性的非易失性存儲器應用。