Vishay Siliconix：30V芯片級MOSFET
發布時間:2012/2/20 10:24:19 訪問次數:480
si8487db和si8497db為他們提供了滿足其特定應用需求的外形尺寸和導通電阻。對于小占用空間能夠帶來產品增值的場合，1.5mm x 1mm的si8497db同時具有0.59mm的最大高度，以及4.5v、2.5v和2.0v下53mΩ、71mΩ和120mΩ的低導通電阻。對于低導通電阻是重要考慮因素的應用，si8487db能在10v、4.5v和2.5v下提供31mΩ、35mΩ和45mΩ的低導通電阻，0.6mm的最大高度，以及此類p溝道功率mosfet中最低的導通電阻值。
器件符合iec 61249-2-21的無鹵素規定，符合rohs指令2002/95/ec。si8487db與vishay的30v si8409db保持引腳兼容。
新的si8487db和si8497db trenchfet功率mosfet現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十二周。
vishay的trenchfet gen iii p溝道mosfet使用了先進的加工工藝，在每平方英寸的硅片內裝入了10億個晶體管單元。這種最前沿的技術實現了超精細、亞微米的節距工藝，把目前業內最好的p溝道mosfet所能達到的導通電阻降低了近一半。芯片級的micro foot技術不但能節省空間，實現更小、更薄的終端產品，而且能夠在給定的外形內使用更大的硅片。
si8487db和si8497db為他們提供了滿足其特定應用需求的外形尺寸和導通電阻。對于小占用空間能夠帶來產品增值的場合，1.5mm x 1mm的si8497db同時具有0.59mm的最大高度，以及4.5v、2.5v和2.0v下53mΩ、71mΩ和120mΩ的低導通電阻。對于低導通電阻是重要考慮因素的應用，si8487db能在10v、4.5v和2.5v下提供31mΩ、35mΩ和45mΩ的低導通電阻，0.6mm的最大高度，以及此類p溝道功率mosfet中最低的導通電阻值。
器件符合iec 61249-2-21的無鹵素規定，符合rohs指令2002/95/ec。si8487db與vishay的30v si8409db保持引腳兼容。
新的si8487db和si8497db trenchfet功率mosfet現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十二周。
vishay的trenchfet gen iii p溝道mosfet使用了先進的加工工藝，在每平方英寸的硅片內裝入了10億個晶體管單元。這種最前沿的技術實現了超精細、亞微米的節距工藝，把目前業內最好的p溝道mosfet所能達到的導通電阻降低了近一半。芯片級的micro foot技術不但能節省空間，實現更小、更薄的終端產品，而且能夠在給定的外形內使用更大的硅片。
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