燦芯半導體：arm cortex-a9雙核測試芯片采用了中芯國際的40納米低漏電工藝，大幅縮短了整個芯片設計時間，并且降低了開發成本與流片風險，這一系列工藝技術和設計上的優化措施將推動高性能的 cortex-a9處理器快速面市。我們很高興在處理器內核及其優化實現上與 arm 及中芯國際建立緊密的合作伙伴關系，該測試芯片的順利流片再次證明了三家公司合作的成功。有了 arm 和中芯國際的支持，我們必將為需要高性能 arm 內核的客戶帶來巨大價值。

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中芯國際：通過與 arm 和燦芯的密切合作，中芯國際能夠為客戶提供一個快速實現從設計到生產的完整平臺。我們十分重視與燦芯、arm 的合作伙伴關系。也正因為他們的努力，我們才能達成此40納米技術的重要里程碑，這對我們‘為客戶提供最先進的制程技術’的共同承諾是最有力的證明。中芯國際40納米技術結合 arm cortex-a9處理器和燦芯的設計流程，將有助于滿足高性能和低功耗消費電子產品日益增長的需求。

arm 中國區：在中國，arm 堅持致力于與合作伙伴共同努力，創造一個推動創新與成長的生態系統。這個與燦芯半導體、中芯國際共同創造的重要里程碑，證明了通過我們的合作，可以承諾并最終實現以高性能、低功耗的產品，來更快地滿足市場不同領域的需求。

燦芯半導體（上海）有限公司（簡稱“燦芯半導體”）與中芯國際集成電路制造有限公司（“中芯國際”）及 arm 日前聯合宣布，采用中芯國際40納米低漏電工藝的 arm ® cortex™-a9 mpcore™ 雙核測試芯片首次成功流片。

該測試芯片基于 arm cortex-a9 雙核處理器設計，采用了中芯國際的40納米低漏電工藝。處理器使用了一個集 32k i-cache 和 32k d-cache，128 tlb entries，neon™ 技術，以及包括調試和追蹤技術的 coresight™ 設計套件。除高速標準單元庫，該測試芯片還采用高速定制存儲器和單元庫以提高性能。設計規則檢測之簽核流程（sign-off）結果已達到900mhz（wc），預計2012年第二季度流片結束后，實測結果將達到1.0ghz。