特性和優勢

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MAX9321BESA+T

XC2C32A-4VQG44C

TFC619

TS105-6

IRF8707TR

MT6302N

TFC619

LM358

AT9173EG(AAT9173EG-AH-AZAZ)

AT3263

L13ESD5V0CE2

·         超過1.0mhz的開關頻率減小了解決方案的總體尺寸，節省了50%的線路板空間，并且通過降低電感高度，實現更薄的系統。

·         過零檢測(zcd)電路改善了輕負載性能

·         pqfn 6x6mm² intel® drmos v4.0標準占位面積、多源極解決方案多芯片模塊(mcm)

·         與最接近的競爭產品相比，該器件在峰值負載下(15a) 效率提高2.5%，在滿負載條件下(30a)效率改善6%。(19vin, 1vout, 800khz)，實現更長的電池壽命。

飛兆半導體generation ii xs drmos系列器件提供業界領先技術，以應對現今電子設計所遇到的能效和外形尺寸挑戰。這些器件是飛兆半導體高能效的功率模擬、功率分立和光電子解決方案的一部分，能夠在功率敏感應用中實現最大節能。

飛兆半導體：解決方案助您成功！

價格：訂購1,000個

fdmf6708n      每個1.86美元

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ultrabook^™設備和筆記本等應用的設計人員面臨降低電源設計中電感高度的挑戰，以滿足更薄的低側高終端系統要求。有鑒于此，飛兆半導體公司(fairchild semiconductor)提供第二代xs™ drmos系列fdmf6708n，這是經全面優化的緊湊型集成mosfet解決方案加驅動器功率級解決方案，用于大電流、高頻率同步降壓dc-dc應用。fdmf6708n集成了一個驅動器ic、兩個功率mosfet和一個自舉肖特基二極管，采用熱性能增強型6x6mm²  pqfn intel® drmos v4.0標準封裝。

fdmf6708n可讓設計人員節省50%的占位面積，同時提供高開關頻率和高功率密度。該器件的過零檢測(zcd)功能改善了輕負載效率，延長了電池壽命。與傳統分立解決方案不同，fdmf6708n使用最新的控制fet和syncfet^™ 技術以及具有更低源極電感的clip-bond封裝，在滿負載下提供高效率。而傳統分立解決方案需要更大的pcb空間、更長的布局走線、更厚的電感，以及更多的元件，因而在使用較薄磁性元件所需的較高頻率下散熱性能不良。

fdmf6708n采用pqfn 6x6mm² 封裝，與最接近的競爭產品相比，該器件在峰值負載下(15a)效率提高2.5%，在滿負載條件下(30a)效率改善6%。該器件適用于要求開關頻率在600khz  1.0mhz，輸入電壓甚至達到20v的應用。可讓設計人員使用更小、更薄的電感和電容，減小解決方案的尺寸，同時滿足熱性能要求。fdmf6708n器件能夠幫助設計人員應對設計挑戰，設計出更酷、更薄且具有更高能效的ultrabook™產品。