羅姆將以sic為首的功率元件事業作為發展戰略之一定位，今后，加強實現更高耐壓、更大電流的sic元件/模塊的產品陣容的同時，不斷推進完善sic 溝槽式mosfet和sic-ipm（智能電源模塊）等sic相關產品的陣容與量產化。

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JH236N

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PRN10016N2001J

特點：
a; 開關損耗降低85％
內置了最先進的sic-sbd與sic-mosfet的“全sic”模塊，與傳統的si-igbt相比，開關損耗可降低85％。

b; 實現小型、輕薄封裝
通過設計和工藝改善，成功開發出散熱性卓越的模塊。大大有助于設備的小型化需求。

 
＜電路圖＞　
 

術語解說：
・igbt（insulated gate bipolar transistor的簡稱）
絕緣柵雙極晶體管。給柵極安裝了mosfet的雙極晶體管。
・mosfet（metal－oxide－semiconductor field　effect　transistor的簡稱)
金屬－氧化物－半導體場效應晶體管，是fet中最被普遍使用的結構。作為開關元件使用。
・sbd（肖特基勢壘二極管schottky barrier diode　的簡稱）
使金屬和半導體接觸從而形成肖特基結，利用其可得到整流性（二極管特性）的二極管。具有“無少數載流子存儲效應，高速性能卓越”的特點。羅姆株式會社推出的“全sic”功率模塊（額定1200v/100a）開始投入量產。該產品的內置功率半導體元件全部采用sic（silicon carbide：碳化硅）構成。
此產品安裝在工業設備和太陽能電池等中負責電力轉換的變頻器、轉換器上，與普通的si（硅）材質的igbt模塊相比，具備以下優勢，有效解決了世界能源和資源等地球環境問題。
1;開關損耗降低85％
2;與傳統的400a級別的si-igbt模塊相替換時，體積減小約50％
3;損耗低，因此發熱少，可減小冷卻裝置體積，從而可實現設備整體的小型化
本產品計劃在羅姆總部工廠（京都市）從3月份下旬開始量產、出貨。

近年來，在工業設備和太陽能電池、電動汽車、鐵路等電力電子技術領域，與si元件相比，電力轉換時損耗少、材料性能卓越的sic元件/模塊的實際應用備受期待。
根據估算，將傳統的si半導體全部替換為sic后的節能效果，僅在日本國內就相當于4座核電站的發電量※2，因此，各公司都已強化了相關研究開發。在這種背景下，羅姆于2010年在世界上率先成功實現了sic-sbd和sic-mosfet兩種sic元件的量產，在行業中遙遙領先。
與此同時，關于“全sic”模塊，即所內置的功率元件全部將si替換為sic，多年來，雖然全世界的制造商多方試制，但在可靠性上存在諸多課題，一直無法實現量產。

通過羅姆開發出的獨創的缺陷控制技術和篩選法，使可靠性得以確保。針對sic制備過程中特有的1700℃高溫工序，為了防止其發生特性劣化，羅姆開發了控制技術，于世界首家確立了“全sic”功率模塊的量產體制。
內置最先進的sic-sbd和sic-mosfet兩種元件，與傳統的si-igbt模塊相比，可以將電力轉換時的損耗降低85％。另外，與igbt模塊相比，在10倍于其的頻率－100khz以上的高頻環境下工作成為可能。該產品的額定電流為100a，通過高速開關和低損耗化，可以與額定電流為200～400a的si-igbt模塊進行替換。
不僅如此，通過設計和工藝的改善，羅姆還成功開發出散熱性卓越的模塊。替換傳統的400a級別的si-igbt模塊時，體積可減小約50％。由于損耗低，因此發熱少，可減小外置的冷卻裝置體積，從而非常有助于設備整體的小型化。