憑借其注重成本效益的平面型fd-soi技術，意法半導體率先推出了28納米的全耗盡型器件，遙遙領先競爭對手。為fd-soi貨源提供雙重保障，意法半導體與globalfoundries簽訂了代工協議，以補充意法半導體位于法國crolles工廠的產能。28n納米fd-soi器件目前已商用化，預計于2012年7月前投入原型設計；而20納米fd-soi器件目前處于研發階段，預計2013年第三季度投入原型設計。

51電子網公益庫存:

ZXLD1350E5

FM24C08

CD2822

PT1301   

HBR2045

SPLB20A1-47A

APA3541

THX203

LM358P/18V

MB3800

意法半導體的fd-soi技術已被st-ericsson用于下一代移動平臺，這項技術將使st-ericsson的novathor平臺具有更高的性能和更低的功耗，在發揮最高性能的時候可降低功耗達35%。

意法半導體計劃向globalfoundries的其它客戶開放fd-soi技術，讓他們能夠使用目前最先進的28納米和20納米技術研發產品。

意法半導體宣布，引領全球半導體技術升級的半導體代工廠商globalfoundries將采用意法半導體專有的fd-soi（fullydepletedsilicon-on-insulator，全耗盡絕緣體上硅）技術為意法半導體制造28納米和20納米芯片。當今的消費者對智能手機和平板電腦的期望越來越高，要求既能處理精美的圖片，支持多媒體和高速寬帶上網功能，同時又不能犧牲電池壽命。在設備廠商滿足消費者這些需求的努力中，意法半導體的fd-soi芯片的量產和上市將起到至關重要的作用。

多媒體融合應用需要性能和能效兼備的半導體技術。隨著芯片外觀尺寸不斷縮小，傳統技術無法使晶體管的性能和電池壽命同時達到最高水準，無法在實現最優性能的同時確保溫度不超過安全限制。解決之道是采用fd-soi技術，該技術兼備最高性能、低工作功耗（在各種應用中，降低電源功率后還能保持良好的性能）和低待機功耗。