Vishay：SMD薄膜電阻
發布時間:2013/3/22 14:22:34 訪問次數:904
vishay dale thin film mil-prf-55342電阻通過american society for testing and materials (astm e-595)標準測試方法的認定，在真空環境中出氣的總質量損失(tml)和收集的可凝揮發物(cvcm)均達到宇航等級的要求。
- 51電子網公益庫存:
- L1-201-5
- L1A4297
- L2162A1
- L4949ED
- LM324DR2G
- LM393P
- LM3S610-IQN50-C2T
- LX8211A-001SET
- LD1117AL33
- LIS344ALHTR
- LM2480NA
針對性能有嚴格要求的高可靠軍工和航天應用，e/h系列的全濺鍍包覆式接繞端，能確保其優異的附著力和尺寸的一致性。mil-prf-55342薄膜器件具有一個能在+150℃下工作的電鍍鎳柵層、tamelox電阻芯，高純鋁基板使器件的功率等級達到1000w。
電阻不但具有小于-25db的超低噪聲和小于0.1ppm/v的電壓系數，還具有低至±25ppm/℃的絕對tcr，經過激光微調后的公差低至0.1%，根據外形尺寸和tcr特性，阻值范圍為10Ω～6.19mΩ。mil-prf-55342薄膜器件的儲存穩定率為±0.01%，提供抗靜電的格柵包裝或帶盤包裝。
器件規格表：
|
編號 |
外形尺寸 |
功率等級(mw) |
工作電壓 (v) |
電阻范圍 (Ω) |
|
m55342/01 |
0502 |
50 |
40 |
20 ～ 150 k |
|
m55342/02 |
0505 |
125 |
40 |
20 ～ 301 k |
|
m55342/03 |
1005 |
200 |
75 |
10 ～ 649 k |
|
m55342/04 |
1505 |
150 |
125 |
10 ～ 1.69 m |
|
m55342/05 |
2208 |
225 |
175 |
10 ～ 3.16 m |
|
m55342/06 |
0705 |
150 |
50 |
10 ～ 475 k |
|
d55342/07 |
1206 |
250 |
100 |
10 ～ 1.5 m |
|
m55342/08 |
2010 |
800 |
150 |
10 ～ 4.02 m |
|
m55342/09 |
2512 |
1000 |
200 |
10 ～ 6.19 m |
|
m55342/10 |
1010 |
500 |
75 |
49.9 ～ 1 m |
|
m55342/11 |
0402 |
50 |
30 |
20 ～ 100 k |
|
m55342/12 |
0603 |
100 |
50 |
10 ～ 261 k |
新款“s”級器件現可提供樣品，并已可量產供尐，庫存的標準供貨周期為十周。
vishay擴充其通過mil-prf-55342認證的e/h系列smd薄膜電阻，具有每1000小時0.001%的“s”級失效率, 共有12種外形尺寸可供選擇。qpl器件經過認證后的tcr特性為e、h、k、l和m。
通過100%篩選和廣泛的環境測試，包括100%的a組、功率調節和b組抽樣測試，以確保增強型電阻具有確實的可靠性。測試后的器件進行定級，認可達到“s”級失效率。
vishay dale thin film mil-prf-55342電阻通過american society for testing and materials (astm e-595)標準測試方法的認定，在真空環境中出氣的總質量損失(tml)和收集的可凝揮發物(cvcm)均達到宇航等級的要求。
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針對性能有嚴格要求的高可靠軍工和航天應用，e/h系列的全濺鍍包覆式接繞端，能確保其優異的附著力和尺寸的一致性。mil-prf-55342薄膜器件具有一個能在+150℃下工作的電鍍鎳柵層、tamelox電阻芯，高純鋁基板使器件的功率等級達到1000w。
電阻不但具有小于-25db的超低噪聲和小于0.1ppm/v的電壓系數，還具有低至±25ppm/℃的絕對tcr，經過激光微調后的公差低至0.1%，根據外形尺寸和tcr特性，阻值范圍為10Ω～6.19mΩ。mil-prf-55342薄膜器件的儲存穩定率為±0.01%，提供抗靜電的格柵包裝或帶盤包裝。
器件規格表：
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編號 |
外形尺寸 |
功率等級(mw) |
工作電壓 (v) |
電阻范圍 (Ω) |
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m55342/01 |
0502 |
50 |
40 |
20 ～ 150 k |
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m55342/02 |
0505 |
125 |
40 |
20 ～ 301 k |
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m55342/03 |
1005 |
200 |
75 |
10 ～ 649 k |
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m55342/04 |
1505 |
150 |
125 |
10 ～ 1.69 m |
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m55342/05 |
2208 |
225 |
175 |
10 ～ 3.16 m |
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m55342/06 |
0705 |
150 |
50 |
10 ～ 475 k |
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d55342/07 |
1206 |
250 |
100 |
10 ～ 1.5 m |
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m55342/08 |
2010 |
800 |
150 |
10 ～ 4.02 m |
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m55342/09 |
2512 |
1000 |
200 |
10 ～ 6.19 m |
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m55342/10 |
1010 |
500 |
75 |
49.9 ～ 1 m |
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m55342/11 |
0402 |
50 |
30 |
20 ～ 100 k |
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m55342/12 |
0603 |
100 |
50 |
10 ～ 261 k |
新款“s”級器件現可提供樣品，并已可量產供尐，庫存的標準供貨周期為十周。
vishay擴充其通過mil-prf-55342認證的e/h系列smd薄膜電阻，具有每1000小時0.001%的“s”級失效率, 共有12種外形尺寸可供選擇。qpl器件經過認證后的tcr特性為e、h、k、l和m。
通過100%篩選和廣泛的環境測試，包括100%的a組、功率調節和b組抽樣測試，以確保增強型電阻具有確實的可靠性。測試后的器件進行定級，認可達到“s”級失效率。
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