nmos外延可將晶體管速度提高半個器件節點，同時不增加關閉狀態下的功耗

51電子網公益庫存:

SD6900

XC2C64A-7VQG44C

STC12C5202AD

OCP8153

HV9961LG-G

HV9910B

PT4115

OCP8155

1954097-1

1954289-1

HV9911

NUD4001

“外延是高性能晶體管的基本組成部分，速度提升相當于縮放半個器件節點。”應用材料公司硅系統事業部表示，“除了傳統的pmos 外延以外，通過實施nmos外延工藝，我們能幫助晶圓代工客戶進一步增強用于下一代器件的晶體管性能。”

自90納米終端節點以來，具有即時摻雜性能的應變選擇性外延膜已經改善了pmos晶體管的遷移率，降低了電阻，從而提高了晶體管的速度。在nmos 晶體管中采用選擇性外延，具有類似的提升作用，能夠增強總體芯片的性能。通過將這種技術用于這兩類晶體管，應用材料公司推動了行業發展，以滿足日益增長的多功能移動產品更快和更高計算能力的需求。這種性能的提升有助于客戶實現更先進的功能，如提升多任務和更高品質的圖形以及影像處理能力等。

centura rp epi系統設備是經過生產實踐證明的pmos外延應用領域的的領導者。隨著今天這項新技術的推出，該系統的應用范圍如今已涵蓋了nmos晶體管指定區域薄膜的選擇性沉積。應用材料公司市場領先的專有外延技術能夠實現高質量應變膜在沉積時進行精準的原子摻雜。嚴格的制造工藝控制帶來優秀的膜性能、均勻性和極低缺陷率。這些特性解決了諸多性能問題，包括關鍵電荷層的電阻率問題。

對centurarpepi系統設備的市場領導地位發揮核心作用的是其集成的低溫預清潔siconi　技術。在同一個真空平臺集成預清潔和外延工藝，能夠消除排隊時間，相較單機獨立系統設備能夠減少界面污染超過一個數量級，從而打造純潔的硅表面，實現無缺陷外延晶體生長。

新的nmos(n型金屬氧化物半導體)外延沉積工藝對下一代移動處理器芯片內更快的晶體管至關重要。

應用材料公司在applied centura rp epi系統設備上新開發了一套nmos晶體管應用技術，繼續保持其在外延技術方面十年來的領先地位。該應用技術的開發符合行業在20納米節點時將外延沉積從pmos(p型金屬氧化物半導體)向nmos(n型金屬氧化物半導體)晶體管延伸的趨勢，推動芯片制造商打造出更快的終端，提供下一代移動計算能力。http://anteshiji.51dzw.com