全球功率半導體市場的 2013 年總值約為 154 億美元，與上一年相比降低了 0.3%。盡管處在較為疲軟的市場環境中，英飛凌仍實現營業額增長，與上一年相比市場份額提高 0.9%，達到 12.3%。在 mosfet 功率晶體管領域，英飛凌市場占有率達到 13.6%，提升了 1.6%，首次成為該領域的最大供應商。英飛凌同時贏得獨立式 igbt 功率晶體（市場占有率為 24.7%，位居第一）以及 igbt 拈（市場占有率為 20.5%，位居第二）子市場的份額。

51電子網公益庫存:

PT4115

OCP8155

1954097-1

1954289-1

HV9911

NUD4001

XC6SLX45

XC3S500E

7QFG48C

XC2C64A

BP1361

IRFB4310

“事實證明英飛凌的運營策略是正確的：轉換產品型思維方式，從系統級角度看待問題，從而為客戶提供正確的產品，讓我們的運營更加成功。我們在 mosfet 功率晶體管的持續成功是這一正確策略的有力證明。盡管市場環境較為疲軟，我們仍實現了持續增長，”英飛凌科技股份公司首席執行官 reinhard ploss 博士如是說道。

功率半導體有各種型號，既有獨立式，也有拈式或堆疊式組裝型，取決于應用領域。此類功率半導體對電力進行控制與轉換，可以將僅數瓦的電力轉換成數百萬瓦電力。

典型的應用領域包括服務器、筆記本、智能手機、平板電腦、消費電子與移動通信基礎設施。此外，功率半導體還是各類驅動系統電子控制的重要元件（例如在泵、通風設備與壓縮機中），并且也應用于高速區域列車、城郊列車及地鐵的電機控制上。在汽車領域，功率半導體用于動力傳動系統、舒適型電子設備（電動窗等）與安全系統（電子動力方向盤等），也是混合動力車與電動車的基本組件。

英飛凌科技股份公司繼續穩固其在全球功率半導體市場的領軍地位。美國信息咨詢公司 ihs inc (nyse: ihs) 的最新研究表明，憑借 12.3% 的市場占有率，英飛凌連續十一年穩居功率半導體市場領軍地位。同時英飛凌首次躍居 mosfet 功率晶體管市場第一。此類 mosfet 是緊湊度極高的開關，用于能效型電源裝置等設備中。http://thwy02.51dzw.com/