TPS2491的熱插拔保護電路設計
發布時間:2014/10/21 9:49:48 訪問次數:340
在工業控制現場plc/dcs、刀片式服務器和冗余存儲磁盤陣列(raid)等高可用性系統,需要在整個使用生命周期內具有接近零的停機率。如果這種系統的一個部件發生了故障或需要升級,它必須在不中斷系統其余部分的情況下進行替換,在系統維持運轉的情況下,發生故障的板卡被移除,替換板卡被插入,被稱為熱插拔(hot swap)。
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任何一個板卡都具有一定的負載電容,當板卡插入正常工作背板時,背板電源將使用較大的瞬時電流對插入板卡負載電容充電;當板卡從正常工作背板拔出時,由于板卡上的負載電容放電,在板卡與背板之間會形成一條低阻通路,也將產生較大的瞬時電流。浪涌現象會導致背板電源瞬時跌落,造成系統意外復位,甚至損壞接口電路,對于熱插拔保護電路的研究將成為背板結構設備推廣應用的關鍵。
1 控制策略比較
1.1 交錯引腳法
“交錯引腳法”也稱為“預充電引腳法”,是一種最基本的熱插拔浪涌電流控制方案,從物理結構上引入一長、一短兩組交錯電源引腳,在長電源引腳上串聯了一個預充電電阻。板卡插入背板時,長電源引腳首先接觸到電源,通過預充電電阻為插入板卡負載電容充電,并進行濾波和充電電流限制,板卡將要完全插入時,短電源引腳接入電源,從而旁路連接在長電源引腳的預充電電阻,為插入板卡供電提供一個低阻通道,信號引腳在插入板卡的最后時刻接入。板卡從背板拔出時,控制過程正好相反,長電源引腳最后與背板分離,通過預充電電阻為板卡負載電容放電。
交錯引腳法不能控制負載電容的充電速率,預充電電阻的選擇必須權衡預充電流和浪涌電流,如果電阻選擇不合理,會影響系統工作。交錯引腳方案需要一個特殊的連接器,這將會給選型設計帶來一定的困難。
1.2 熱敏電阻法
熱敏電阻法采用一個負溫度系數(ntc)熱敏電阻配合一個外部mosfet使用,其工作原理是:ntc熱敏電阻置于功率mosfet盡可能近,熱敏電阻上的溫度與功率mosfet外殼的溫度直接成正比,控制mosfet柵極電壓控制器的開關門限輸入電平與熱敏電阻上的溫度成反比。板卡在背板上進行熱插拔時,mosfet在瞬時浪涌電流的作用下溫度升高,ntc熱敏電阻上的溫度隨著升高,柵極電壓控制器開關門限電平下降,來達到對板卡熱插拔時浪涌電流控制。
采用熱敏電阻法時,一個關鍵的問題是,當板卡連續反復插拔時,熱敏電阻可能沒有足夠的冷卻時間,從而在隨后的熱插拔事件中不能有效限制浪涌電流。同時需要考慮ntc熱敏電阻的反作用時間引起的長期可靠性問題,板卡環境溫度及熱敏電阻自身因素對可靠性設計帶來的問題。
1.3 熱插拔控制器
熱插拔控制器是當前最好的熱插拔解決方案,它在單芯片內集成了過壓和欠壓保護、過載時利用恒流源實現有源電流限制、電源電壓跌落之前斷開故障負載、利用外部fet構成“理想二極管”提供反向電流保護以及發生負載故障后自動重啟等功能。此外,新一代熱插拔控制器集成了全面的模擬和數字功能,在板卡插入并完全上電后,可連續監測電源電壓、電流、功率以及器件溫度,實時提供短路和過流保護,并且可以識別故障板卡,在系統完全失效或意外關閉之前撤掉故障板卡。熱插拔控制器可有效控制熱插拔過程中的浪涌電流,并在系統正常運行后提供過流和負載瞬變保護,降低了系統失效點,保證了可熱插拔系統的長期可靠運行。
2 應用實例設計
2.1 tps2491功能結構
tps2491是ti推出的一款正高壓熱插拔控制器,支持9—80 v正壓系統,適用于保護新興正高壓分布式電源系統,如12 v、24 v與48 v服務器背板、存儲域網絡、醫療系統、插入模塊以及無線基站等。tps2491的可編程電源與電流限制功能有助于確保外部mosfet在適當的電壓、電流與時間條件下始終保持在其安全工作區(soa)范圍內進行工作。在正常工作期間,外部mosfet可在最大的柵源電壓下工作,以盡可能降低通道電阻。在進行啟動及出現短路的情況下,可對柵極-源極電壓進行調制,以便提供已定義的啟動時間,避免損壞外部mosfet
1)上電啟動過程
欠壓鎖定(uvlo)和芯片使能(en)均超過其門限電平時,gate、prog、timer和pg引腳置為有效狀態,外部mosfet在gate驅動下被打開,控制器使用vsense-out和vvcc-sense分別監測通過mosfet漏極到源極的電壓(vds)和電流(id)。
2)電流控制及可編程
控制器通過外部感應電阻rs兩端的電壓降來監測流過mosfet的電流id,當浪涌電流出現時,通過降低mosfet柵極電壓,保持感應電阻兩端壓降50 mv,來達到對熱插拔時浪涌電流的控制。通過變換感應電阻rs阻值的大小,來調節最大輸出電流。
3)mosfet耗散功率限制
控制器通過rpog引腳的輸入電壓來確定mosfet上允許的最大耗散功率,即vprog=plim/(10*ilim),結合所選外部mosfet的soa來確定定時電容gt的大小,保證mosfet始終保持在其安全工作區工作。
4)過載保護
一個積分電容ct被連接到timer引腳提供過載延時定時和控制器重啟間隔定時。熱插拔或輸出短路造成電源電壓下降時,ct進行充電,timer定時開始,此時mosfet柵極驅動電路控制id恒流,當ct充電達到4 v時,gate引腳被拉低,mosfet被關斷。此后內部電路控制ct進行放電,當放電到達1 v時,gate重新進行使能,控制器自動重啟。此后,如果仍然過載,則上述過程將重復進行。
2.2 24v保護電路設計
本節基于tps2491詳細介紹正壓24 v熱插拔電路的設計過程,設定vin(max)=24 v,最大輸出電流imax=1.5 a。
1)感應電阻rs選型rs=0.05/(1.2×imax),取值33 mΩ,imax≈1.5 a。
2)外接mosfet選型
外接n溝道mosfet vds耐壓要大于輸入電壓和瞬態過沖,并要有一定的余量,并且rdson(max)要滿足,其中tj(max)一般取125℃,熱阻rθja取決于管子的封裝及散熱的方式。
按照上述條件,設計中選取了n溝道mosfet aoll1242作為24v熱插拔電路外接mosfet,其vds=40v,id=69a(vgs=10 v),滿足設計要求的最大輸入電壓24 v和最大輸出電流1.5 a,并留有足夠的余量,防止瞬態過沖。
3)mosfet的plim設定
mosfet在熱插拔及輸出短路時會有極大的功率消耗,限制plim可以保護管子防止溫度過高損壞。通過對引腳prog電壓的調節,來設定plim的大小
4)定時電容ct選型
選擇合適的電容,完成設定故障重啟間隔定時外,還必須滿足過載持續定時時間內外接mosfet的功率耗散,不造成管子損壞,設計中選擇ct=0.1μf。
5)使能啟動電壓設定
控制器使能啟動電壓為1.35 v,關閉電壓為1.25 v。通過設定en引腳輸入電壓,可以實現電源輸入欠壓保護。設計中選擇r1=200 kΩ,r2=13 kΩ,由公式
vin(on)=1.35/[r2/(r1+r2)]=22 v
可知,電源輸入電壓達到22 v時控制器使能啟動;由公式
vin(off)=1.25/[r2/(r1+r2)]=20.5 v
可知,電源輸入電壓下降到20.5 v時控制器進入欠壓保護。
6)其他選型
為了抑制高頻振蕩,gate驅動電阻r5取值10 Ω;為保證pg引腳吸收電流小于2 ma,上拉電阻r6取值100 kΩ;c1取值0.1μf,d1選擇齊納tvs管sa24ag;24 v電源輸入端串接in5822肖特基二極管d2防止電源反接。
3 電路測試驗證
文章設計的正壓24 v熱插拔保護電路,通過在背板結構的數據采集卡上應用,進行測試驗證,采集卡背板電源總線電壓為24 v。
測試方法:在采集卡插入背板時,通過示波器監測背板電源總線波形變化情況,以及定時電容ct正極波形變化情況。
測試結果:數據采集卡無熱插拔保護電路時,采集卡插入背板時,數據采集卡有熱插拔保護電路時,采集卡插入背板時
結果分析:可以看出,當采集卡無熱插拔保護電路,插入帶電背板時,背板24 v電源總線電壓有一個6v左右的瞬時(約3 ms)跌落。可知,若負載電容更大,則背板電源總線電壓跌落將更大,跌落時間將更長,在這樣的電壓跌落幅值及時間內,及有可能造成背板上其他正常工作采集卡復位,甚至由于瞬時較大的負載電容充電浪涌電流損壞接口電路。http://jcd688.51dzw.com/
當采集卡有熱插拔保護電路,插入帶電背板時,背板24 v電源總線電壓幾乎無跌落。同時,對圖6分析可知,在采集卡熱插拔時出現了浪涌過流,定時電容ct開始充電,在充電過程中mosfet柵極驅動電路維持電源輸出恒流,由于ct充電未達到4 v(約2 v)時采集卡負載電容已經充電完成,熱插拔控制器即刻取消了限流保護,進入了正常工作狀態,控制ct開始放電,ct充電周期大大小于放電周期,也驗證了ct充電電流(25μa)和放電電流(2.5μa)的不同。
在工業控制現場plc/dcs、刀片式服務器和冗余存儲磁盤陣列(raid)等高可用性系統,需要在整個使用生命周期內具有接近零的停機率。如果這種系統的一個部件發生了故障或需要升級,它必須在不中斷系統其余部分的情況下進行替換,在系統維持運轉的情況下,發生故障的板卡被移除,替換板卡被插入,被稱為熱插拔(hot swap)。
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任何一個板卡都具有一定的負載電容,當板卡插入正常工作背板時,背板電源將使用較大的瞬時電流對插入板卡負載電容充電;當板卡從正常工作背板拔出時,由于板卡上的負載電容放電,在板卡與背板之間會形成一條低阻通路,也將產生較大的瞬時電流。浪涌現象會導致背板電源瞬時跌落,造成系統意外復位,甚至損壞接口電路,對于熱插拔保護電路的研究將成為背板結構設備推廣應用的關鍵。
1 控制策略比較
1.1 交錯引腳法
“交錯引腳法”也稱為“預充電引腳法”,是一種最基本的熱插拔浪涌電流控制方案,從物理結構上引入一長、一短兩組交錯電源引腳,在長電源引腳上串聯了一個預充電電阻。板卡插入背板時,長電源引腳首先接觸到電源,通過預充電電阻為插入板卡負載電容充電,并進行濾波和充電電流限制,板卡將要完全插入時,短電源引腳接入電源,從而旁路連接在長電源引腳的預充電電阻,為插入板卡供電提供一個低阻通道,信號引腳在插入板卡的最后時刻接入。板卡從背板拔出時,控制過程正好相反,長電源引腳最后與背板分離,通過預充電電阻為板卡負載電容放電。
交錯引腳法不能控制負載電容的充電速率,預充電電阻的選擇必須權衡預充電流和浪涌電流,如果電阻選擇不合理,會影響系統工作。交錯引腳方案需要一個特殊的連接器,這將會給選型設計帶來一定的困難。
1.2 熱敏電阻法
熱敏電阻法采用一個負溫度系數(ntc)熱敏電阻配合一個外部mosfet使用,其工作原理是:ntc熱敏電阻置于功率mosfet盡可能近,熱敏電阻上的溫度與功率mosfet外殼的溫度直接成正比,控制mosfet柵極電壓控制器的開關門限輸入電平與熱敏電阻上的溫度成反比。板卡在背板上進行熱插拔時,mosfet在瞬時浪涌電流的作用下溫度升高,ntc熱敏電阻上的溫度隨著升高,柵極電壓控制器開關門限電平下降,來達到對板卡熱插拔時浪涌電流控制。
采用熱敏電阻法時,一個關鍵的問題是,當板卡連續反復插拔時,熱敏電阻可能沒有足夠的冷卻時間,從而在隨后的熱插拔事件中不能有效限制浪涌電流。同時需要考慮ntc熱敏電阻的反作用時間引起的長期可靠性問題,板卡環境溫度及熱敏電阻自身因素對可靠性設計帶來的問題。
1.3 熱插拔控制器
熱插拔控制器是當前最好的熱插拔解決方案,它在單芯片內集成了過壓和欠壓保護、過載時利用恒流源實現有源電流限制、電源電壓跌落之前斷開故障負載、利用外部fet構成“理想二極管”提供反向電流保護以及發生負載故障后自動重啟等功能。此外,新一代熱插拔控制器集成了全面的模擬和數字功能,在板卡插入并完全上電后,可連續監測電源電壓、電流、功率以及器件溫度,實時提供短路和過流保護,并且可以識別故障板卡,在系統完全失效或意外關閉之前撤掉故障板卡。熱插拔控制器可有效控制熱插拔過程中的浪涌電流,并在系統正常運行后提供過流和負載瞬變保護,降低了系統失效點,保證了可熱插拔系統的長期可靠運行。
2 應用實例設計
2.1 tps2491功能結構
tps2491是ti推出的一款正高壓熱插拔控制器,支持9—80 v正壓系統,適用于保護新興正高壓分布式電源系統,如12 v、24 v與48 v服務器背板、存儲域網絡、醫療系統、插入模塊以及無線基站等。tps2491的可編程電源與電流限制功能有助于確保外部mosfet在適當的電壓、電流與時間條件下始終保持在其安全工作區(soa)范圍內進行工作。在正常工作期間,外部mosfet可在最大的柵源電壓下工作,以盡可能降低通道電阻。在進行啟動及出現短路的情況下,可對柵極-源極電壓進行調制,以便提供已定義的啟動時間,避免損壞外部mosfet
1)上電啟動過程
欠壓鎖定(uvlo)和芯片使能(en)均超過其門限電平時,gate、prog、timer和pg引腳置為有效狀態,外部mosfet在gate驅動下被打開,控制器使用vsense-out和vvcc-sense分別監測通過mosfet漏極到源極的電壓(vds)和電流(id)。
2)電流控制及可編程
控制器通過外部感應電阻rs兩端的電壓降來監測流過mosfet的電流id,當浪涌電流出現時,通過降低mosfet柵極電壓,保持感應電阻兩端壓降50 mv,來達到對熱插拔時浪涌電流的控制。通過變換感應電阻rs阻值的大小,來調節最大輸出電流。
3)mosfet耗散功率限制
控制器通過rpog引腳的輸入電壓來確定mosfet上允許的最大耗散功率,即vprog=plim/(10*ilim),結合所選外部mosfet的soa來確定定時電容gt的大小,保證mosfet始終保持在其安全工作區工作。
4)過載保護
一個積分電容ct被連接到timer引腳提供過載延時定時和控制器重啟間隔定時。熱插拔或輸出短路造成電源電壓下降時,ct進行充電,timer定時開始,此時mosfet柵極驅動電路控制id恒流,當ct充電達到4 v時,gate引腳被拉低,mosfet被關斷。此后內部電路控制ct進行放電,當放電到達1 v時,gate重新進行使能,控制器自動重啟。此后,如果仍然過載,則上述過程將重復進行。
2.2 24v保護電路設計
本節基于tps2491詳細介紹正壓24 v熱插拔電路的設計過程,設定vin(max)=24 v,最大輸出電流imax=1.5 a。
1)感應電阻rs選型rs=0.05/(1.2×imax),取值33 mΩ,imax≈1.5 a。
2)外接mosfet選型
外接n溝道mosfet vds耐壓要大于輸入電壓和瞬態過沖,并要有一定的余量,并且rdson(max)要滿足,其中tj(max)一般取125℃,熱阻rθja取決于管子的封裝及散熱的方式。
按照上述條件,設計中選取了n溝道mosfet aoll1242作為24v熱插拔電路外接mosfet,其vds=40v,id=69a(vgs=10 v),滿足設計要求的最大輸入電壓24 v和最大輸出電流1.5 a,并留有足夠的余量,防止瞬態過沖。
3)mosfet的plim設定
mosfet在熱插拔及輸出短路時會有極大的功率消耗,限制plim可以保護管子防止溫度過高損壞。通過對引腳prog電壓的調節,來設定plim的大小
4)定時電容ct選型
選擇合適的電容,完成設定故障重啟間隔定時外,還必須滿足過載持續定時時間內外接mosfet的功率耗散,不造成管子損壞,設計中選擇ct=0.1μf。
5)使能啟動電壓設定
控制器使能啟動電壓為1.35 v,關閉電壓為1.25 v。通過設定en引腳輸入電壓,可以實現電源輸入欠壓保護。設計中選擇r1=200 kΩ,r2=13 kΩ,由公式
vin(on)=1.35/[r2/(r1+r2)]=22 v
可知,電源輸入電壓達到22 v時控制器使能啟動;由公式
vin(off)=1.25/[r2/(r1+r2)]=20.5 v
可知,電源輸入電壓下降到20.5 v時控制器進入欠壓保護。
6)其他選型
為了抑制高頻振蕩,gate驅動電阻r5取值10 Ω;為保證pg引腳吸收電流小于2 ma,上拉電阻r6取值100 kΩ;c1取值0.1μf,d1選擇齊納tvs管sa24ag;24 v電源輸入端串接in5822肖特基二極管d2防止電源反接。
3 電路測試驗證
文章設計的正壓24 v熱插拔保護電路,通過在背板結構的數據采集卡上應用,進行測試驗證,采集卡背板電源總線電壓為24 v。
測試方法:在采集卡插入背板時,通過示波器監測背板電源總線波形變化情況,以及定時電容ct正極波形變化情況。
測試結果:數據采集卡無熱插拔保護電路時,采集卡插入背板時,數據采集卡有熱插拔保護電路時,采集卡插入背板時
結果分析:可以看出,當采集卡無熱插拔保護電路,插入帶電背板時,背板24 v電源總線電壓有一個6v左右的瞬時(約3 ms)跌落。可知,若負載電容更大,則背板電源總線電壓跌落將更大,跌落時間將更長,在這樣的電壓跌落幅值及時間內,及有可能造成背板上其他正常工作采集卡復位,甚至由于瞬時較大的負載電容充電浪涌電流損壞接口電路。http://jcd688.51dzw.com/
當采集卡有熱插拔保護電路,插入帶電背板時,背板24 v電源總線電壓幾乎無跌落。同時,對圖6分析可知,在采集卡熱插拔時出現了浪涌過流,定時電容ct開始充電,在充電過程中mosfet柵極驅動電路維持電源輸出恒流,由于ct充電未達到4 v(約2 v)時采集卡負載電容已經充電完成,熱插拔控制器即刻取消了限流保護,進入了正常工作狀態,控制ct開始放電,ct充電周期大大小于放電周期,也驗證了ct充電電流(25μa)和放電電流(2.5μa)的不同。