意法半導體是業界少數具有高可靠性、高能效碳化硅功率半導體研發的領導廠商之一，并始終致力于技術的研發與升級。這次推出的1200vsct20n120進一步擴大了碳化硅mosfet產品系列，具有小于290mΩ的通態電阻(rds(on))及高達200°c的最大工作結溫等諸多特性優勢；其高度穩定的關斷電能(eoff)和柵電荷(qg)可使開關性能在整個工作溫度范圍內表現始終如一。最終的低導通損耗和開關損耗配合超低泄漏電流，

51電子網公益庫存:

VIPER16LD

L6390DTR

STM8S005K6T6C

STM8L151R8T6

STM8S105K6T6C

ACS T610-8T

ACS 108-6SN

ACS ACST210-8B

T410-600T

ACS T610-8G

SMBJ170A-TR

ACST410-8B

除更低的電能損耗外，意法半導體的碳化硅mosfet的開關頻率也同樣出色，較同等級的硅絕緣柵雙極型晶體管 (igbt) 高出三倍，這讓設計人員能夠使用更小的外部元器件，進而降低產品尺寸、重量以及材料成本。sct20n120的耐高溫性可大幅度簡化電源模塊、電動汽車等應用的散熱系統 (cooling-system) 設計。

sct20n120采用意法半導體獨有的hip247™封裝，其更高的熱效率可使管子在最大工作溫度高達200°c時，依然能夠維持與to-247 工業標準功率封裝外觀兼容。http://hyzx.51dzw.com/

新款sct20n120碳化硅功率mosfet晶體管，其先進的能效與卓越的可靠性將為更多節能應用帶來技術優勢，包括純電動汽車和混合動力汽車的逆變器、太陽能或風力發電、高能效驅動器、電源以及智能電網設備。