據yoledeveloppement公司的報告“氮化鎵和碳化硅電力電子應用”，在2014年的碳化硅（sic）芯片業務價值超過$133米，具有功率因數校正（pfc）和太陽能光伏（pv）仍是領先的應用（像往年一樣）。

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超過80％的該市場的由碳化硅二極管，這在2020年將保持在不同的應用，包括電動汽車和混合動力電動汽車（ev / hev），光伏，pfc，風，不間斷電源（ups）和主要貢獻者的電機驅動器，估計yole。

碳化硅晶體管將增長與二極管并聯，通過光伏逆變器驅動，預測報告。然而，挑戰必須通過純碳化硅解決方案，電動汽車動力傳動系統的逆變器，這不過是預計到2020年之前需要克服。

包括在兩個二極管和晶體管的生長，yole預計總碳化硅市場超過高音$436米2020。

氮化鎵（gan）有一個潛在的巨大的總訪問市場（tam），因此，其可以通過將顯著，yole表示。但是，出發點和增長速度直接關系到兩個重要的問題：

•如何將低電壓的gan新興應用不斷擴展，以及如何將氮化鎵予以通過這些應用程序？

•威爾600v器件使他們的方式推向市場？

yole在制定兩種情況對于gan器件市場高達2020的分析是基于氮化鎵的在不同的應用，包括dc-dc變換，激光雷達，信封跟蹤，無線功率，和pfc普及率集成這些變量。該公司因此預計，到2020年gan器件市場將增長到$303米在標稱的情況下，或5.6億美元在加速情況下（如低電壓gan和氮化鎵600v迅速通過）。新興的應用程序（即包絡跟蹤，無線電源和雷達）將集體消費的氮化鎵晶體管的三分之一，據預測。在這兩種情況下，低于200v低電壓應用有望成為主要貢獻者市場。

公司朝著正確的方向發展，以克服余下的技術挑戰

設計這些半導體材料的一種全新的產品將導致研發費用必須由在系統級增加價值來補償，yole表示。這可能包括改善的成本，尺寸，并與常規的硅解決方案相比的運行條件。捕捉到這一附加值，積分必須從提高工作頻率寬禁帶（wbg）設備和溫度的全部優點。

到目前為止，世界銀行集團市場沒有增長一樣快，希望。這四個障礙裝置采用保持：成本高在設備級別;可靠性;多采購;和集成。

許多研發項目已在最近幾年已經啟動。一些原型已經證明，材料清單（bom）成本可以通過世行集團的設備時，會降低在系統級。

為了克服可靠性挑戰，羅門哈斯cree公司已經宣布了新的sic器件世代或平臺具有增強的，更穩定的規格。 sic和gan器件通過可靠性測試也將減少參與收養的風險。

許多公司 - 包括cree公司，羅門哈斯，意法半導體，三菱和通用電氣 - 現在開發的sic mosfet的。因此，最終用戶更能夠多源這些設備。與此相反，有供應商在gan市場的數量有限。在未來幾年，新進入者如exagan與臺積電應該提供額外的采購選擇。此外，英飛凌和松下已經在今年，他們將建立常關600v的gan功率器件的雙外包關系公布。

集成這些快速切換，高工作溫度設備仍是主要挑戰之一。世界銀行集團的供應商和最終用戶需要重新考慮許多因素，包括器件封裝，模塊封裝，柵極驅動器集成和拓撲設計。

包裝正在成為一個特定的瓶頸，但好消息是，公司正在朝著正確的方向前進，yole表示。 gan器件制造商epc和gan系統都采用了兩種先進的封裝，這似乎是比傳統的功率器件封裝更適合。最近收購apei由克里同樣應該加快碳化硅模塊封裝的發展。http://xczykj.51dzw.com/

最近的金融舉措表明市場信心世界銀行集團設備

最近已經有好幾件為世界銀行集團部門的好消息，yole表示。現有碳化硅器件市場領導者cree公司已決定剝離其功率和射頻事業部作為一個獨立的公司，并發行股份在新的ipo。 yole將此解釋為在sic功率器件市場持續增長的積極跡象。

與此同時，約1億美元的投資已經取得了各項氮化鎵初創公司。其中兩個是在四大商業氮化鎵的公司。今年五月，甘系統提出了2000萬美元的風險資金。今年六月，exagan上調5.7米（650萬美元）的第一輪融資200毫米晶圓生產的高效率氮化鎵上硅功率開關器件。此外，transphorm宣布了一項新的7000萬美元的資金通過投資公司kkr圓形led。這些投資反映了信心的gan器件市場和投資者的意愿來提供資金，加快生產能力，yole表示。

將gan和碳化硅競爭相同的電力電子應用？

經過多年的關于它是否會gan或碳化硅的討論，答案是現在比以往任何時候都更清晰，規定yole。

碳化硅二極管已在市場上超過14年，并正在成為一個成熟的技術，不留下任何余地氮化鎵二極管。

氮化鎵晶體管已經取得了他們的方式進入低電壓應用，碳化硅會發現難以望其項背。

在600-3300v范圍存在商業碳化硅晶體管。相比于gan臥式裝置，在電壓1200v以上的優勢，現在被廣泛認可。在2015年初，碳化硅器件的領導者cree公司推出了900v的平臺。這被認為是由市場作為一個顯著舉動碳化硅，信令打算解決900v和更低電壓的應用。

氮化鎵還試圖進入市場的600v。應用如pfc，板上充電器和用于汽車應用，因此將是氮化鎵和碳化硅的主戰場在未來幾年的低電壓/高電壓的dc-dc轉換器，估計yole。

最終，集成不在乎他們買制成的芯片，注意到市場研究公司。他們希望以合理的價格合適的設備，使期望的市場體系。真正的競爭不是氮化鎵和碳化硅，但世行集團之間對現任硅基技術。硅絕緣柵雙極晶體管（igbt）技術在進步，成為更好和更便宜。然而，在未來，市場將不會作為由硅基器件支配，因為它的今天，但更加多樣化是。各種設備 - 包括硅，氮化鎵，碳化硅等是尚待開發的 - 會找到自己的利基，總結yole。