電壓可變衰減器-提高了GaAs器件的線性度
發布時間:2015/8/18 9:50:18 訪問次數:765
兩款器件均采用小型3.0×3.0毫米，16針tqfn封裝。他們都聲稱提供有競爭力的解決方案一半的插入損耗，和ip3性能的1000倍更好地30分貝比與之競爭的砷化鎵（gaas設備。據該公司介紹，該硅技術提供了改進的rf性能優勢以及更強大的esd保護，更好的潮濕敏感度等級，改善熱性能，更低的功耗，以及硅技術的成熟可靠性，衰減器表現出兩端的電壓控制范圍呈線性-db的衰減特性，而低插入損耗降低射頻鏈路路徑損耗。
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它們匹配流行腳印和適合于基站（2g，3g和4g），微波的基礎設施，公共安全，便攜式無線通信/數據設備，測試/ ate設備，軍事系統，jtrs無線電，和hf，vhf和uhf無線電。
輸入ip3高達65dbm，與33分貝/ v和最小的回波損耗的最大衰減斜率高達6000mhz，12.5分貝。
在f2255支持的頻率范圍向下到1mhz，而這兩種設備具有雙向rf端口，支持任何3.0或5v的一個正電源電壓，并具有-40至105℃的工作溫度范圍。http://xczykj.51dzw.com/
兩個rf電壓可變衰減器（vva），展開idt的頻率覆蓋范圍為1mhz至6ghz。在f2255和f2258都稱可提供業界領先的低插入損耗和高線性度。
兩款器件均采用小型3.0×3.0毫米，16針tqfn封裝。他們都聲稱提供有競爭力的解決方案一半的插入損耗，和ip3性能的1000倍更好地30分貝比與之競爭的砷化鎵（gaas設備。據該公司介紹，該硅技術提供了改進的rf性能優勢以及更強大的esd保護，更好的潮濕敏感度等級，改善熱性能，更低的功耗，以及硅技術的成熟可靠性，衰減器表現出兩端的電壓控制范圍呈線性-db的衰減特性，而低插入損耗降低射頻鏈路路徑損耗。
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它們匹配流行腳印和適合于基站（2g，3g和4g），微波的基礎設施，公共安全，便攜式無線通信/數據設備，測試/ ate設備，軍事系統，jtrs無線電，和hf，vhf和uhf無線電。
輸入ip3高達65dbm，與33分貝/ v和最小的回波損耗的最大衰減斜率高達6000mhz，12.5分貝。
在f2255支持的頻率范圍向下到1mhz，而這兩種設備具有雙向rf端口，支持任何3.0或5v的一個正電源電壓，并具有-40至105℃的工作溫度范圍。http://xczykj.51dzw.com/
兩個rf電壓可變衰減器（vva），展開idt的頻率覆蓋范圍為1mhz至6ghz。在f2255和f2258都稱可提供業界領先的低插入損耗和高線性度。
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