ST: MDmesh M2系列的N-溝道功率MOSFETs再增添新成員
發布時間:2015/9/15 9:41:40 訪問次數:406
新款600v mdmesh m2 ep產品整合意法半導體經過市場檢驗的條形布局(strip layout)和全新改進的垂直結構和優化的擴散工藝(diffusion process),擁有接近理想的開關設計,包括超低的導通電阻和最低的關斷開關損耗,是特別為甚高頻功率轉換器(f>150 khz)專門設計,為要求最嚴格的電源供應器(psu, power supply unit)的理想選擇。
- 51電子網公益庫存:
- STM8S005K6T6C
- STM8L151R8T6
- STM8S105K6T6C
- ACS T610-8T
- ACS 108-6SN
- ACS ACST210-8B
- T410-600T
- ACS T610-8G
- SMBJ170A-TR
- ACST410-8B
- R5F21275SNEH0FP
- R5F21276SNFP
硬開關和軟開關電路拓撲均適用,包括諧振拓撲(resonant topologies),例如llc諧振,新器件的開關損耗極低,特別是在低負載條件下,低損耗更為明顯。除mdmesh m2產品的共性柵電荷量(qg)極低外,m2 ep產品的關斷能量(eoff)還可降低20%,而在硬開關轉換器中,關斷開關損耗同樣降低20%。在低電流范圍內降低eoff損耗,有助于提高低負載能效,進而幫助電源廠商順利達到日益嚴格的能效認證要求。
改進后的關斷波形(turn-off waveforms)可提高諧振轉換器的能效,降低噪聲,每周期回收再利用更多的電能,而不是以散熱的形式浪費掉。
新款mdmesh m2 ep系列的主要特性包括:
·極低的qg(低至16 nc)
·針對輕負載條件優化電容曲線(capacitance profile)
·針對軟件開關優化vth和rg參數
·穩健的本體二極管(body diode)
mdmesh m2 ep系列瞄準需要高能效的電源應用,提供多種封裝選擇(powerflat 5x6 hv, dpak, d2pak, to-220, to-220fp, i2pakfp, to-247),所有產品均已量產。http://hangson168.51dzw.com/
st mdmesh™ m2系列的n-溝道功率mosfets再增添新成員,新系列產品能夠為服務器、筆記本電腦、電信設備及消費電子產品電源提供業內最高能效的電源解決方案,在低負載條件下的節能效果尤為顯著,讓設計人員能夠開發更輕、更小的開關式電源,同時輕松達到日益嚴格的能效目標要求。
新款600v mdmesh m2 ep產品整合意法半導體經過市場檢驗的條形布局(strip layout)和全新改進的垂直結構和優化的擴散工藝(diffusion process),擁有接近理想的開關設計,包括超低的導通電阻和最低的關斷開關損耗,是特別為甚高頻功率轉換器(f>150 khz)專門設計,為要求最嚴格的電源供應器(psu, power supply unit)的理想選擇。
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硬開關和軟開關電路拓撲均適用,包括諧振拓撲(resonant topologies),例如llc諧振,新器件的開關損耗極低,特別是在低負載條件下,低損耗更為明顯。除mdmesh m2產品的共性柵電荷量(qg)極低外,m2 ep產品的關斷能量(eoff)還可降低20%,而在硬開關轉換器中,關斷開關損耗同樣降低20%。在低電流范圍內降低eoff損耗,有助于提高低負載能效,進而幫助電源廠商順利達到日益嚴格的能效認證要求。
改進后的關斷波形(turn-off waveforms)可提高諧振轉換器的能效,降低噪聲,每周期回收再利用更多的電能,而不是以散熱的形式浪費掉。
新款mdmesh m2 ep系列的主要特性包括:
·極低的qg(低至16 nc)
·針對輕負載條件優化電容曲線(capacitance profile)
·針對軟件開關優化vth和rg參數
·穩健的本體二極管(body diode)
mdmesh m2 ep系列瞄準需要高能效的電源應用,提供多種封裝選擇(powerflat 5x6 hv, dpak, d2pak, to-220, to-220fp, i2pakfp, to-247),所有產品均已量產。http://hangson168.51dzw.com/
st mdmesh™ m2系列的n-溝道功率mosfets再增添新成員,新系列產品能夠為服務器、筆記本電腦、電信設備及消費電子產品電源提供業內最高能效的電源解決方案,在低負載條件下的節能效果尤為顯著,讓設計人員能夠開發更輕、更小的開關式電源,同時輕松達到日益嚴格的能效目標要求。