ST:的槽柵結構低壓MOSFETsSTripFET F7系列將新增60V的產品線
發布時間:2015/9/17 10:13:08 訪問次數:394
st的槽柵結構低壓mosfetsstripfet™ f7系列將新增60v的產品線,可協助電信、服務器和臺式pc機的電源以及工業電源和太陽能微逆變器的直流-直流(dc/dc)電源轉換器達到嚴格的能效標準要求,最大限度提升電源功率密度。
- 51電子網公益庫存:
- MAX9860ETG
- MSP430F4152IPMR
- MSP430F2132IPWR
- MSP430F415IPMR
- MSP430F5438IPZR
- CC1150RSTR
- TL2843BDR-8
- UCC28810DR
- ADS1100A0IDBVR
- MSP430F415IPMR
- HV9911
- 1954289-1
stripfet f7 mosfet不僅大幅提高了晶體管的導通能效和開關性能,還簡化了通道間的槽柵結構(trench-gate structure),實現極低的導通電阻、電容和柵電荷量,并取得優異的品質因數(rds(on) x qg)。此外,本征體二極管的恢復電荷(recovery charge)很低,有助于提高開關性能。高雪崩耐量確保在惡劣條件下保持性能穩健,反向傳輸電容對輸入電容(crss/ciss)的比值低,有助于強化抗電磁干擾(emi immunity)。
意法半導體的60v stripfet f7 mosfet是為同步整流(synchronous rectification)電路定制,能夠以更少的并聯器件達到最大目標電流,以此提高功率密度、降低元器件使用數量。該系列共有12款產品,覆蓋了所有工業標準電源,最大輸出電流從90a到260a(在tc=25°c下,硅限制連續漏極電流)。新產品提供多個封裝選擇,包括powerflat™ 5x6、powerflat 3.3x3.3、dpak、d2pak、to-220、to-220fp、雙引腳或六引腳h2pak。http://zlc08.51dzw.com/
所有產品均已量產(包括采用powerflat 5x6封裝的90a stl90n6f7)
st的槽柵結構低壓mosfetsstripfet™ f7系列將新增60v的產品線,可協助電信、服務器和臺式pc機的電源以及工業電源和太陽能微逆變器的直流-直流(dc/dc)電源轉換器達到嚴格的能效標準要求,最大限度提升電源功率密度。
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stripfet f7 mosfet不僅大幅提高了晶體管的導通能效和開關性能,還簡化了通道間的槽柵結構(trench-gate structure),實現極低的導通電阻、電容和柵電荷量,并取得優異的品質因數(rds(on) x qg)。此外,本征體二極管的恢復電荷(recovery charge)很低,有助于提高開關性能。高雪崩耐量確保在惡劣條件下保持性能穩健,反向傳輸電容對輸入電容(crss/ciss)的比值低,有助于強化抗電磁干擾(emi immunity)。
意法半導體的60v stripfet f7 mosfet是為同步整流(synchronous rectification)電路定制,能夠以更少的并聯器件達到最大目標電流,以此提高功率密度、降低元器件使用數量。該系列共有12款產品,覆蓋了所有工業標準電源,最大輸出電流從90a到260a(在tc=25°c下,硅限制連續漏極電流)。新產品提供多個封裝選擇,包括powerflat™ 5x6、powerflat 3.3x3.3、dpak、d2pak、to-220、to-220fp、雙引腳或六引腳h2pak。http://zlc08.51dzw.com/
所有產品均已量產(包括采用powerflat 5x6封裝的90a stl90n6f7)