今年10月，三星宣布率先在業界實現了10納米 finfet工藝的量產

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。與其上一代14納米finfet工藝相比，三星10納米工藝可以在減少高達30%的芯片尺寸的基礎上，同時實現性能提升27%或高達40%的功耗降低。通過采用10納米finfet工藝，驍龍835處理器將具有更小的芯片尺寸，讓oem廠商能夠在即將發布的產品中獲得更多可用空間，以支持更大的電池或更輕薄的設計。制程工藝的提升與更先進的芯片設計相結合，預計將會顯著提升電池續航。

三星及晶圓代工業務部表示：我們很高興有機會與qualcomm technologies進行密切合作，采用我們的10納米 finfet工藝生產驍龍835。作為我們晶圓代工業務的一項重要里程碑，此次合作顯示了對于三星領先制程工藝的信心。

目前，驍龍835已經投入生產，預計搭載驍龍835的商用終端將于2017年上半年出貨。驍龍820/21處理器已經擁有超過200款設計發布或正在開發中，驍龍835正是其后續產品。

2016年11月17日，qualcomm incorporated(宣布，其子公司qualcomm technologies, inc.(qti)和三星電子有限公司延續雙方十年之久的戰略性晶圓代工合作，將采用三星10納米finfet制程工藝打造qualcomm technologies最新款頂級處理器——qualcomm?驍龍?835處理器。

在下一代頂級處理器中采用三星先進制程的決定，突顯了qualcomm technologies作為移動平臺技術領軍企業的不懈努力。

qualcomm technologies. inc.產品管理部表示：非常高興繼續與三星合作，共同開發引領移動行業的產品。全新10納米制程節點的采用，預計將使我們頂級系列的驍龍835處理器帶來更低的功耗與更高的性能，同時也讓我們能夠增加諸多全新功能，從而提升未來的移動終端用戶體驗。