三星將分別透過口頭簡報以及海報展示雙管齊下的方式，

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介紹在28nm cmos邏輯制造制程中嵌入8mbit自旋傳輸(stt) mram等主題。在該公司發表的論文主題中，研究人員們將這種電路形容為具有“高度功能性且十分可靠”。在其摘要中并補充：該公司采用包括創新整合、材料堆疊與圖案化技術等途徑，成功地將垂直式磁穿隧接面(pmtj)記憶體單元陣列嵌入于銅金屬后端，而不至于發生開路故障，同時，磁性能也并未發生嚴重退化現象。

這種pmtj記憶體單元采用氧化鎂/鈷鐵硼(mgo/cofeb)堆疊，可在完全整合后達到180%的穿隧磁阻值。離子束蝕刻技術用于降低至低于1ppm的短路故障;有趣的是看到離子束蝕刻技術對于生產吞吐量的影響。此外，嵌入式mram巨集具有側面感應邊界限制，資訊儲存在攝氏85度下可保留達10年。

依據制造經濟來看，這可能是針對低功耗微控制器(mcu)和soc進行選擇的過程，因為它們具有切換和保留資料的能力。

從獨立式記憶體端來看，海力士與東芝的研發團隊預計將在iedm上發表首款4gbit stt-mram。其發展是根據面積為9f2的記憶體單元，十分接近于dram記憶體的尺寸。該設計針對高隧電阻比而最佳化其pmtj，因而需要低開關電流。此外，研究團隊也將介紹克服與制程有關缺陷導致寫入錯誤的各種技術。

everspin technologies inc.在今年的electronica展示基于1gbit pmtj的mram。

同樣值得注意的是，美國加州大學洛杉磯分校電子工程系教授pedram khalili-amiri也是這款mram技術的共同作者。該主題并介紹電場控制mram與mram的電壓控制等。

pedram khalili-amiri同時也是inston公司的共同創辦人與技術長。inston公司獲得了兩筆小型企業創新研究(sbir)的贊助;其一是在2013年獲得149,000美元，進行電場控制磁記憶元件的研究——其非揮發性記憶體位元的切換是由電壓(而非自旋極化電流或磁場)進行，用于極低能量耗散的應用。

這些記憶體元件將用于磁電隨機存取存記憶體(meram)，據稱將可提供明顯優于stt-mram的優勢、高達100倍的能量效率、高達10倍的密度，以及低于10nm的可擴展性。

其次是2014年的一筆749,000美元贊助經費，用于開發電場控制非揮發性磁記憶體晶片與陣列的原型。

包括三星、東芝、海力士等公司的研究團隊將在iedm發表有關mram的最新發展。

在今年即將于美國加州舉行的國際電子元件會議(iedm)上，來自三星(samsung)、東芝(toshiba)、海力士(sk hynix)等公司的研究團隊預計將發表多項有關磁阻式隨機存取記憶體(mram)的最新發展。

三星的研發團隊以及旗下lsi業務部門顯然也將再次發表其致力于開發mems的最新成果。