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      在 9 月 19 日于北京舉行的英特爾精尖制造日上，英特爾在其展示區域和主題演講上展示了五款晶圓。

　　這是英特爾首次公開展示這五款晶圓，彰顯了我們在制造領域取得的巨大進步。http://liuhua1881.51dzw.com

　　五款全球首次展出晶圓

　　英特爾 10 納米cannonlake

　　英特爾 10 納米 arm 測試芯片

　　英特爾 22ffl

　　14 納米展訊 sc9861g-ia

　　14 納米展訊 sc9853

　　英特爾 cannonlake 10 納米

　　英特爾 10 納米制程工藝:

　　• 不僅擁有全球最密集的晶體管和金屬間距，還采用了超微縮特性，這兩大優勢保證了密度的領先性

　　• 比競爭友商的“10 納米”技術領先了整整一代

　　• 計劃于 2017 年下半年開始生產

　　• 超微縮可釋放出多模式方案的全部價值，使得英特爾得以繼續摩爾定律的經濟效益

　　英特爾 10 納米cannonlake

　　英特爾與arm在10nm的合作

　　取得了長足的進步：

　　1. 英特爾 10nm cpu測試芯片流片具有先進的arm cpu核， 使用行業標準的設計實現, 電子設計自動化 (eda) place and route工具和流程 ,性能高達3ghz以上http://liuhua1881.51dzw.com

　　2. arm同時正在開發高性能存儲器、邏輯單元和cpu pop套件，以進一步擴展下一代arm cpu在英特爾10nm技術上的性能水平

　　arm cortex a75: intel 10nm 測試芯片

　　• 在12周內從rtl 至首次 tape out

　　• 標準英特爾10nm工藝

　　• 最新的軟件測試結果 > 3.3ghz

　　• 250uw/mhz

　　英特爾 10 納米 arm 測試芯片

　　英特爾10納米制程：

　　通過超微縮技術實現業界最高的邏輯晶體管密度

　　英特爾10納米工藝采用第三代 finfet(鰭式場效應晶體管)技術，相比其他所謂的“10納米”,英特爾10納米預計將會領先整整一代。英特爾10 納米工藝使用的超微縮技術 (hyper scaling)，充分運用了多圖案成形設計 (multi-patterning schemes)，并助力英特爾延續摩爾定律的經濟效益，從而推出體積更小、成本更低的晶體管。英特爾10納米制程將用于制造英特爾全系列產品，以滿足客戶端、服務器以及其它各類市場的需求。

　　英特爾10納米制程的最小柵極間距從70納米縮小至54納米，且最小金屬間距從52納米縮小至36納米。尺寸的縮小使得邏輯晶體管密度可達到每平方毫米1.008億個晶體管，是之前英特爾14納米制程的2.7倍，大約是業界其他“10納米”制程的2倍。http://liuhua1881.51dzw.com

　　相比之前的14納米制程，英特爾10納米制程提升高達25%的性能和降低45%的功耗。相比業界其他所謂的“10 納米”，英特爾10納米制程也有顯著的領先性能。全新增強版的10 納米制程——10++，則可將性能再提升15%或將功耗再降低30%。

　　英特爾晶圓代工業務通過兩個設計平臺——10gp(通用平臺)和 10hpm(高性能移動平臺)，向客戶提供英特爾10納米制程。這兩個平臺包括已驗證的廣泛硅ip組合、arm 庫和 pop 套件，以及全面整合的一站式晶圓代工服務和支持。

　　英特爾22ffl(finfet 低功耗)平臺

　　卓越集成能力

　　一流的 cpu 性能，主頻超過 2 ghz

　　超低功耗，漏電率降低 100 倍

　　22 納米+ 制程，每平方毫米 1,780 萬個晶體管

　　全面的 rf 設計支持

　　快速上市速度

　　行業最易使用的 finfet 制程

　　成熟生產平臺，具備業經驗證的 22/14 納米特性

　　經過芯片驗證的移動/物聯網 ip 組合

　　arm 庫和 pop 套件

　　英特爾架構處理器 ip 套件

　　交鑰匙代工服務與支持

　　cost-effective的設計

　　與業界28納米的平面(planar)工藝相比在成本上極具競爭力

　　單模式互聯和寬泛的 dfm 規則

　　無復雜的襯底偏壓要求

　　理想應用

　　入門級/經濟型智能手機

　　車載

　　可穿戴設備

　　英特爾22ffl(finfet 低功耗)平臺

　　英特爾22納米finfet低功耗(22ffl)技術：

　　面向主流市場的finfet技術

　　英特爾自2011年發布代號為ivy bridge的處理器以來，一直在量產22納米finfet(鰭式場效應晶體管)，而隨著2014年代號為broadwell的處理器發布，第二代14納米finfet也開始量產。基于多年22納米/14納米的制造經驗，英特爾推出了稱為22ffl(finfet低功耗)的全新工藝。該工藝提供結合高性能和超低功耗的晶體管，及簡化的互連與設計規則，能夠為低功耗及移動產品提供通用的finfet設計平臺。http://liuhua1881.51dzw.com

　　與先前的22gp(通用)技術相比，全新22ffl技術的漏電量最多可減少100倍。22ffl工藝還可達到與英特爾14納米晶體管相同的驅動電流，同時實現比業界28納米/22納米平面技術更高的面積微縮。

　　22ffl工藝包含一個完整的射頻(rf)套件，并結合多種先進的模擬和射頻器件來支持高度集成的產品。借由廣泛采用單一圖案成形及簡化的設計法則，使22ffl成為價格合理、易于使用可面向多種產品的設計平臺，與業界的28納米的平面工藝(planar)相比在成本上極具競爭力。

　　22ffl器件：

　　• 高性能晶體管

　　• 低1/f噪聲

　　• 超低漏電晶體管

　　• 深n阱隔離

　　• 模擬晶體管

　　• 精密電阻

　　• 高壓i/o晶體管

　　• mim(金屬-絕緣體-金屬)電容

　　• 高壓功率晶體管

　　• 高阻抗襯底

　　迄今為止，英特爾已交付超過700萬片finfet晶圓，22ffl工藝充分利用這些生產經驗，達到了極高的良品率。

　　英特爾晶圓代工業務(intel custom foundry)通過平臺向客戶提供22ffl工藝，該平臺包含多種已驗證的硅ip組合以及全面集成的一站式晶圓代工服務和支持。

　　激動人心的22ffl新技術適用于低功耗的物聯網和移動產品，它將性能、功耗、密度和易于設計的特性完美結合。http://liuhua1881.51dzw.com

　　經過展訊驗證的

　　英特爾晶圓代工業務 14 納米平臺

　　展訊的 sc9861g-ia 和 sc9853i 移動 ap 均使用英特爾的 14 納米低功耗平臺制造而成。

　　這兩款移動 ap 分別于 2017 年 3 月和 8 月推出，同時還使用了英特爾 airmont cpu 架構

　　英特爾的 14 納米平臺適用于制造需要高性能和低漏電功耗的產品

　　第二代 finfet 技術

　　行業領先的 ppa，每平方毫米 3,750 萬個晶體管

　　一流的 cpu 性能，主頻超過 2.5 ghz

　　快速上市速度

　　業經驗證的 14 納米 hvm(大規模量產)技術

　　經過芯片驗證的移動/網絡 ip 組合

　　交鑰匙代工服務與支持

　　兩個平臺滿足您的全部產品需求

　　通用 (gp)

　　低功耗 (lp)

　　理想應用

　　主流移動

　　數據中心

　　經過展訊驗證的

　　英特爾晶圓代工業務 14 納米平臺

　　英特爾 14 納米制程：

　　打造極速、節能產品

　　英特爾14納米制程采用第二代 finfet 技術，提升性能并降低漏電功耗，從而支持一系列廣泛的產品。英特爾14納米制程正處于量產階段，用于制造包括高性能服務器、fpga以及低功耗個人計算設備、移動設備、調制解調器和物聯網設備在內的各類產品。

　　14 納米制程的晶體管鰭片更高、更薄且更加密集，從而提升了密度和性能。這些改進的晶體管需要的鰭片數量更少，進一步提升了制程的總體密度。晶體管柵極間距從90納米縮小至70納米，最小互連間距從80納米縮小至 52 納米，從而讓晶體管密度到達每平方毫米 3,750 萬個晶體管的標準。通過采用超微縮技術，英特爾14納米制程相比之前的 22 納米制程實現了非常顯著的微縮，其中邏輯單元面積微縮為此前的37%，晶片尺寸微縮超過此前的一半。

　　相比于業界其他的14/16/20納米制程，英特爾14納米制程的密度是它們的約1.3倍，這極大降低了單個晶體管成本(cpt)。業界的“10 納米”制程預計于2017年的某個時段出貨，而其晶體管密度僅與2014年便已開始出貨的英特爾14納米制程相當。http://liuhua1881.51dzw.com

　　14 納米制程超微縮的一個關鍵因素是引入自校準雙圖案成形 (sadp)，相比業界的曝光-蝕刻-曝光-蝕刻 (lele) 方法，它在晶體管密度和良品率上更有優勢。

　　英特爾不斷改進14納米制程的性能和功效。14 納米制程的持續優化使其性能比最初的14 納米制程可以提升多達 26%，也可以在相同性能下降低50%以上的有效功耗。英特爾14+制程的性能比最初的14納米制程提升了12%，而英特爾14++制程在此基礎上又將性能提升了24%，超過業界最佳的其他14/16納米制程20%。

　　英特爾14納米制程還包含一整套可支持并增強各種產品設計的器件。這些器件包括高阻襯底、高 q 電感器、高密度 decaps、深n阱(deep nwell)、精密電阻器、低漏電功耗及長 l 晶體管，以及射頻晶體管模板和建模。

　　英特爾14納米制程正在美國俄勒岡州、亞利桑那州和愛爾蘭的工廠進行量產，迄今已出貨 4.734 億件。英特爾代工業務通過兩個設計平臺——14gp(通用)和 14lp(低功耗)，向客戶提供英特爾14納米制程。這兩個平臺包括廣泛的硅驗證ip組合以及全面集成的交鑰匙代工服務和支持。

來源：電子產品世界