51電子網公益庫存:

P0102BL5AA4

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V057023B

W10NK80Z

X0405MF

Y2010DN

Z0103MAG

1.5KE110ARL4

2005082-1

3006P001103

4013BDR2G

      意法半導體的 pwd13f60系統封裝(sip)產品在一個13mm x 11mm的封裝內集成一個完整的600v/8a單相mosfet全橋電路，能夠為工業電機驅控制器、燈具鎮流器、電源、功率轉換器和逆變器廠家節省物料成本和電路板空間。

      不僅比采用分立器件設計的類似全橋電路節省電路板空間60%，pwd13f60還能提升最終應用的功率密度。市場上在售的全橋模塊通常是雙fet半橋或六顆fet三相產品，而pwd13f60則集成四顆功率mosfet，是一個能效特別高的替代方案。與這些產品不同，只用一個pwd13f60即可完成一個單相全橋設計，這讓內部mosfet管沒有一個被閑置。新全橋模塊可靈活地配置成一個全橋或兩個半橋。http://zl1688.51dzw.com

      利用意法半導體的高壓 bcd6s-offline制造工藝，pwd13f60集成了功率 mosfet柵驅動器和上橋臂驅動自舉二極管，這樣設計的好處是簡化電路板設計，精簡組裝過程，節省外部元器件。柵驅動器經過優化改進，取得了高開關可靠性和低emi(電磁干擾)。該系統封裝還有交叉導通防護和欠壓鎖保護功能，有助于進一步降低占位面積，同時確保系統安全。

      pwd13f60的其它特性包括低至6.5v的寬工作電壓，配置靈活性和設計簡易性得到最大限度提升。此外，新系統封裝輸入引腳還接受 3.3v-15v邏輯信號，連接微控制器(mcu)、數字處理器(dsp)或霍爾傳感器十分容易。

      按照新摩爾定律(mtm)多元化設想，意法半導體正在推動其bcd (集成雙極-cmos-dmos)工藝向高電壓、高功率和高密度三個方向發展。bcd6s-offline是一項0.32µm高壓制造工藝，另外兩個高壓技術 是 bcd6s-soi 和 0.16µm bcd8s-soi，而bcd8sp和 0.11µm bcd9s是高密度制造工藝。憑借其bcd制造技術組合以及系統封裝(sip)技術專長（另一項mtm技術，在同一個封裝內疊放或平鋪多顆裸片），意法半導體有能力提升產品性能，縮短新產品研發周期，按照智能功率應用的需求提供特定的功能。高度優化、尺寸緊湊的pwd13f60是意法半導體利用其在 mtm技術上的領先優勢開發出來的最新產品。