51電子網公益庫存:

K100J10C0GF5TL2

ADS1230IPWR

CC2530F256RHAR

IP4369CX4-H500

MSP430F425IPMR

STM32F103RET6

TMS320F2812PGFA

V197-95J59

015701.5DR

30343

5035521220

M02099G-14

G1084-33T

P0080SCLRP

H1013

      對于工業和汽車系統中使用的先進 soc (片內系統) 解決方案而言，功率預算持續地攀升。接連推出的每一代 soc 都增添了高功耗器件并提升了數據處理速度。這些器件需要可靠的電源，包括用于內核的 0.8v，用于 ddr3 和 lpddr4 的 1.2v 和 1.1v，以及用于外設和輔助組件的 5v、3.3v 和 1.8v。此外，先進 soc 的性能要求高于傳統 pwm 控制器和 mosfet 所能提供的水平。因此，所需的解決方案必須更加緊湊、具有較高的電流能力、較高的效率，而且更重要的是必須擁有優越的 emi 性能。這里正是我們 power by linear™ 單片式 silent switcher 2 降壓型穩壓器的用武之地，此類器件能夠滿足先進 soc 的功率預算，同時符合 soc 的尺寸和熱限制條件。http://hhtz882.51dzw.com

      ltc®7150s 抬升了“高性能”在工業和汽車電源中的門檻。該器件具有高效率、小外形尺寸和低 emi。集成化高性能 mosfet 和熱管理功能電路可在沒有散熱或冷卻氣流的情況下依靠高達 20v 的輸入電壓可靠和連續地輸送高至 20a 的電流，因而使其非常適合工業、交通運輸和汽車應用中的 soc、fpga、dsp、gpu 和微處理器 (μp)。

      一款用于 soc 和 cpu 電源的 1.2v/20a 輸出解決方案，其采用了開關頻率為 1mhz 的 ltc7150s。該電路可容易地進行修改以適應其他的輸出組合，包括 3.3v、1.8v、1.1v 和 0.6v，從而利用 ltc7150s 的寬輸入范圍。ltc7150s 擁有作為第一級 5v 電源的輸出電流能力，在它的后面可布設一些位于不同輸出的下游第二級開關穩壓器或 ldo 穩壓器。

      在高電流條件下通過 emi 規則條例通常需要面對精細復雜的設計和測試難題，包括在解決方案尺寸、效率、可靠性和復雜性等諸多因素之間的大量權衡折衷。傳統方法是通過減慢 mosfet 開關邊緣速率和 / 或降低開關頻率來控制 emi。這兩種策略均涉及權衡取舍，例如：效率下降、最小接通和關斷時間增加、以及解決方案尺寸增大等。諸如采用復雜龐大的 emi 濾波器或金屬屏蔽等其他 emi 抑制方法則在電路板空間、組件和裝配方面增加了顯著的成本，同時還使熱管理和測試工作復雜化。http://hhtz882.51dzw.com

      analog devices 專有的 silent switcher 2 架構可通過集成型熱環路電容器自我抵消 emi，從而最大限度減小噪聲天線尺寸。這與集成化 mosfet 相結合，顯著地減少了開關節點振鈴和存儲在熱環路中的關聯能量，即使在開關邊緣速率非常快的情況下也不例外。結果是獲得了異常出色的 emi 性能，同時最大限度降低了 ac 開關損耗。ltc7150s 運用了 silent switcher 2 以盡量降低 emi 和實現高效率，從而極大地簡化了 emi 濾波器設計和布局，非常適合那些對噪聲敏感的環境。僅在前面布設一個簡單的 emi 濾波器，ltc7150s 即通過了 cispr22/32 傳導和輻射 emi 峰值限制要求。圖 2b 示出了輻射 emi cispr22 測試結果。

      集成型 mosfet、集成化熱環路去耦電容器、內置補償電路，所有這些使系統擺脫了設計復雜性的困擾，并利用電路簡單性和 silent switcher 架構最大限度縮減了總解決方案尺寸。由于可進行高性能的電源轉換，因此 ltc7150s 不需要增設額外的散熱器或冷卻氣流就能提供高電流。與大多數解決方案不同，低 emi 和高效率皆可在高頻操作情況下實現，因而確保了小的無源組件尺寸。一款 2mhz 解決方案，其在面向 fpga 和 μp 應用且外形非常扁平的解決方案中使用了一個 72nh 小電感器和全陶瓷電容器。http://hhtz882.51dzw.com

      在工業和汽車環境中，對于智能化、自動化和感測能力不斷增長的需求下導致那些電源性能要求越來越高的電子系統急速增加。除了解決方案尺寸、高效率、熱效率、堅固性和易用性之外，低 emi 也已經從事后考慮的事項升格為重要的電源要求之一。ltc7150s 通過運用 silent switcher 2 技術在緊湊的占板面積內滿足了嚴苛的 emi 要求。集成化 mosfet 和熱管理功能允許采用高達 20v 的輸入范圍和高至 3mhz 的頻率范圍以堅固和可靠的方式連續地提供高達 20a 的電流。