20年來，富士通量產各種fram非易失性內存產品，具備高速寫入運行、極高的讀/寫耐用度、及低功耗等特色。值得一提的是，fram產品保證10兆次的讀/寫周期，約為非易失性內存eeprom的1千萬倍。因此許多需要頻繁覆寫數據的工業應用，像實時數據記錄與3d位置數據記錄等，都采用富士通電子的fram產品。

51電子網公益庫存:

CC2592RGVR

CC2530F256RHAR

MSP430FW427IPMR

MSP430F5310IPTR

MSP430F5310IRGCR

ADS1230IPWR

STM32F103RET6

NRF24L01

NRF24LE1

AZ1117CH-1.8TRG1

BAV99W-7-F

1N4148WS-7-F

DMN3404L-7

2N7002-7-F

IP4369CX4-H500

MMBT2222A-7-F

DMG7430LFG-7

AZ431AN-ATRE1

1N5819HW-7-F

US1M-13-F

針對-55℃運行的應用

富士通電子今日推出新款64-kbit fram產品mb85rs64tu，其運行溫度最低達到-55℃，進一步延伸現有產品-40℃的低溫極限。新款產品的開發目標，是為滿足客戶對于產業機械搭載的內存必須能在極度寒冷的環境下運行的需求。

sop與son封裝的mb85rs64tu

mb85rs64tu的運行電源電壓范圍為1.8v-3.6v，連接spi接口的最高頻率為10mhz，而運行溫度范圍則為-55℃ ~ +85℃。

fram產品已推出業界標準的sop8封裝，使其能輕易取代8針腳sop封裝的eeprom。此外，還提供擁有2.00 x 3.00 x 0.75 mm極小尺寸的son8封裝。son的表面貼裝面積僅為sop封裝的30%，而貼裝體積更僅為sop的13%。

去年，富士通電子推出能在125°c環境中運作的fram產品，擴展運行溫度的高溫極限；此次開發出的-55℃產品，則擴展運行溫度的低溫極限。http://pinhui668.51dzw.com/

富士通電子致力于開發最適合客戶應用的內存產品，為此我們將持續提供產品與解決方案，協助客戶的各種應用發揮更好的價值與便利性。

產品規格

組件料號：mb85rs64tu

密度 (組態)：64kbit (8k x 8 位)

界面：spi (serial peripheral interface)

運作頻率：10mhz（max）

運作電壓：1.8v - 3.6v

運作溫度范圍：-55℃ ~ +85℃

讀/寫耐用度：10 兆次 (1013次)

封裝規格：sop8，son8

詞匯與備注

注一：鐵電隨機存取內存（fram）

fram是一種采用鐵電質薄膜作為電容器以儲存數據的內存，即便在沒有電源的情況下仍可保存數據。fram結合了rom和ram的特性，并擁有高速寫入數據、低功耗和高速讀/寫周期的優點。富士通半導體自1999年即開始生產fram，亦稱為feram。

適用于在極寒環境中需維持高可靠性的產業機械應用

富士通電子元器件（上海）有限公司今天宣布，推出新款64-kbit fram---mb85rs64tu（注一）。該款內存能在-55℃中正常運行，為富士通電子旗下首款能耐受如此低溫的fram非易失性內存，現已量產供貨。http://pinhui668.51dzw.com/

此款產品支持1.8v至3.6v的極廣范圍電源電壓。其工作溫度更是超越競爭對手，最低達到-55℃。由于它能在運行溫度范圍內保證10兆次的讀/寫周期，故適合用于在極寒地區挖掘天然氣與石油的設備、機械等產業機械。mb85rs64tu適用于例如測量設備、流量計、及機器人等的一般工業應用。