STPS20170CT雙中心抽頭肖特基整流高頻開關模式
發布時間:2019/3/14 11:07:13 訪問次數:1482
功效
雙中心抽頭肖特基整流二極管，適用于高頻開關模式電源。
- 51電子網公益庫存:
- T1G6000528-Q3
- TPD1E10B06
- TGL2206
- TGL2217
- TGV2562-SM
- W25Q64FVZPIQT
- W25Q80BLSNIGT
- W29N02GVSIAA
- W25Q128FVPIQT
- W25Q16JVSSIQE
- STM8S105S4T6
- UCC27424DR
- VLMTG1300-GS08
- UMB3N
- US1G
- TPS53915RVER
- TPS54140DGQR
- TPS25921A
- TPS3809L30DBVR
- TPD7S019-15DBQR
- UCC27201DR
- TT250N12KOF
- TVP5146PFP
- TW2804
高反向電壓
高結溫能力
具有降額曲線的雪崩規范
絕緣包裝to-220fpab
絕緣電壓：2000 vrms正弦
符合ecopack®2標準的組件，適用于d2pak
泄漏之間的良好貿易關系
電流和正向電壓降
低漏電流
■指定的avalanche能力
雙中心抽頭肖特基整流器專為
高頻開關模式電源
vrrm重復峰值反向電壓170 v.
if（rms）rms正向電流30 a.
if（av）平均正向電流δ= 0.5 tc = 155°c每個二極管10 a.
每個設備20
ifsm浪涌非重復正向電流tp = 10 ms正弦波180 a.
parm重復峰值雪崩功率tp =1μstj= 25°c 6700 w
tstg存儲溫度范圍 - 65至+ 175°c
tj最高工作結溫* 175°c
dv / dt反向電壓的臨界上升率10000 v /μs
(來源網絡，如涉版權問題，請聯系刪除)
功效
雙中心抽頭肖特基整流二極管，適用于高頻開關模式電源。
- 51電子網公益庫存:
- T1G6000528-Q3
- TPD1E10B06
- TGL2206
- TGL2217
- TGV2562-SM
- W25Q64FVZPIQT
- W25Q80BLSNIGT
- W29N02GVSIAA
- W25Q128FVPIQT
- W25Q16JVSSIQE
- STM8S105S4T6
- UCC27424DR
- VLMTG1300-GS08
- UMB3N
- US1G
- TPS53915RVER
- TPS54140DGQR
- TPS25921A
- TPS3809L30DBVR
- TPD7S019-15DBQR
- UCC27201DR
- TT250N12KOF
- TVP5146PFP
- TW2804
高反向電壓
高結溫能力
具有降額曲線的雪崩規范
絕緣包裝to-220fpab
絕緣電壓：2000 vrms正弦
符合ecopack®2標準的組件，適用于d2pak
泄漏之間的良好貿易關系
電流和正向電壓降
低漏電流
■指定的avalanche能力
雙中心抽頭肖特基整流器專為
高頻開關模式電源
vrrm重復峰值反向電壓170 v.
if（rms）rms正向電流30 a.
if（av）平均正向電流δ= 0.5 tc = 155°c每個二極管10 a.
每個設備20
ifsm浪涌非重復正向電流tp = 10 ms正弦波180 a.
parm重復峰值雪崩功率tp =1μstj= 25°c 6700 w
tstg存儲溫度范圍 - 65至+ 175°c
tj最高工作結溫* 175°c
dv / dt反向電壓的臨界上升率10000 v /μs
(來源網絡，如涉版權問題，請聯系刪除)
相關電子資訊- 11-25第2代音頻DAC芯片MUS－IC系列信
- 11-25電荷放大器頻率技術結構參數及應用范圍
- 11-25汽車半導體器件市場增長及應用需求探究
- 11-25射頻同軸連接器種類技術參數封裝應用描述
- 11-25數字三極管的架構技術封裝設計使用分析
- 11-25高精度電流信號轉換設備1A 電流變送器
- 11-2560 V N通道增強型MOSFET技術結構封裝
- 11-25 屏蔽柵槽溝技術 (SGT)參數設計應用及工作原理
- 11-25第一代SGT MOSFET系列結構技術參數應用
- 11-25首顆全量支持GSE標準的DPU芯片
- 11-23電荷放大器頻率特性和電荷放大器的特性特點及應用區別
- 11-23NanoT IP67級輕觸開關系列參數結構設計應用探究
公網安備44030402000607
